МОП-транзисторы Infineon CoolSiC™ 1400В G2: новый уровень эффективности и надёжности в силовой электронике

Компания Infineon Technologies AG представила новую серию MOSFET-транзисторов CoolSiC™ 1400В второго поколения (G2), разработанных для систем, где ключевыми параметрами являются высокая удельная мощность, компактность и термостабильность. Новые устройства отличаются устойчивостью к перегрузкам и оптимизированы для эксплуатации в demanding-сегментах — зарядных систем электромобилей (EV Chargers), модулей накопления энергии (ESS), а также промышленных и коммерческих транспортных решений (CAVs).

Транзисторы выпускаются в усовершенствованном корпусе Reflow TO-247PLUS-4, обеспечивающем устойчивость к пайке оплавлением при 260°C (до трёх циклов) и надёжную работу при температуре перехода до 200°C. Это решение позволяет проектировщикам систем повысить энергоэффективность, уменьшить размеры узлов охлаждения и обеспечить стабильную работу при кратковременных перегрузках.

Технические преимущества и особенности конструкции

Инженеры Infineon реализовали новую технологию межсоединений, что позволило значительно улучшить тепловое сопротивление кристалла, а также повысить механическую прочность устройства при вибрациях и термоциклировании. Благодаря увеличенному номинальному напряжению 1400 В, транзисторы обеспечивают дополнительный запас для быстродействующего переключения, что снижает требования к внешним цепям защиты от перенапряжения и упрощает схемотехнические решения.

Кроме того, улучшенные параметры RDS(on) (в диапазоне от 6 до 29 мΩ) делают эти SiC-MOSFETы особенно эффективными в приложениях, где требуется минимизация потерь на проводимость и переключение, обеспечивая высокую производительность при меньшем тепловыделении.

Применение и совместимость

Новые MOSFET-транзисторы CoolSiC™ 1400 В G2 предназначены для широкого спектра высокомощных промышленных и мобильных систем, включая:

• зарядные станции для электромобилей (DC fast chargers);
• системы хранения энергии (ESS, BESS);
• гибридные и электрические транспортные средства (CAVs);
• солнечные инверторы и промышленные источники питания.

Для разработчиков, которым необходима возможность выбора между вариантами монтажа, Infineon предлагает также модификацию 1400 В CoolSiC™ в корпусе TO-247-4 с классами RDS(on) от 11 до 38 мΩ. Эти версии характеризуются низким током утечки и оптимальны для фотоэлектрических установок и промышленных преобразователей.

Преимущества использования:

• повышенная эффективность преобразования энергии;
• устойчивость к экстремальным температурам и механическим нагрузкам;
• снижение системных потерь и повышение плотности мощности;
• упрощение проектирования защиты от перенапряжений;
• совместимость с современными стандартами монтажа Reflow.

MOSFET-транзисторы Infineon CoolSiC™ 1400В G2 демонстрируют новое качество в области силовой электроники на основе карбида кремния (SiC). Они объединяют высокую эффективность, надёжность и компактность, обеспечивая устойчивую работу в самых жёстких промышленных и мобильных условиях. Благодаря современному корпусу Reflow TO-247PLUS-4 и улучшенным характеристикам, новая линейка Infineon открывает путь к созданию более лёгких, надёжных и энергоэффективных систем следующего поколения.

Таблица технических характеристик MOSFET CoolSiC™ 1400В G2