Высокопроизводительные интегрированные силовые транзисторы GFET3

Silego Technology выпустила семейство высокопроизводительных интегрированных силовых транзисторов GFET3 с напряжением питания 2,5–5,5 В. Новые n-канальные транзисторы рассчитаны на high-side включение (сток связан с положительным полюсом источника питания, нагрузка включена между истоком и землёй) в питающих схемах с напряжением 0,8..5,5 В.

Новые многофункциональные интегрированные силовые транзисторы должны обеспечить стабильным значением сопротивления Rds(on) 4 мОм на всём допустимом входном диапазоне напряжений при изменяющейся температуре. Компоненты GFET3 выполнены по фирменной технологии CuFET в корпусах с монтажной площадью 4 кв.мм и низким термическим сопротивлением для возможности работы с большим током.

Флагманский компонент нового семейства – SLG59M1714V – включает структуру n-канальных МОП-транзисторов, созданную для схем, где обратный ток к источнику питания необходимо исключить. Компонент позволяет сократить себестоимость за счёт возможности исключения их схемы внешнего шунтирующего резистора и дифференциального усилителя, а также других пассивных компонентов, необходимых для реализации считывания тока транзистора.

Все транзисторы семейства работают в диапазоне температуры от -40 до 85 °C. Компоненты выпускаются в RoHS-совместимых корпусах STQFN-16 и предоставляют функции управления бросками тока, мониторинга тока транзисторов, двухуровневого ограничения тока и защиты от перегрева.