Toshiba представила образцы 48-слойной флэш-памяти
08.04.2015
Toshiba показала свою новую флэш-память BiCS на базе 3-мерной 48-слойной структуры. Новые чипы с плотностью 2 бита на ячейку, имеют ёмкость 128 Гбит (16 ГБ). Технология BiCS основывается на техпроцессе с размещением 48 слоёв элементов памяти в вертикальный стек. При этом достигается высокие надёжность и скорость записи/стирания.
Toshiba также сообщила о том, что активно участвует в процессе миграции к технологии памяти 3D Flash с упором на свой продуктовый ряд твердотельных накопителей данных большой ёмкости.
Компания также готовится к серийному производству флэш-памяти NAND на заводе Fab2 в Йоккаити (Япония). На текущий момент завод находится на стадии строительства. Производство планируется в 2016 году.
Наши новости один раз в неделю на ваш емайл
Подписаться на почтовую рассылку / Авторам сотрудничество
Подписаться на почтовую рассылку / Авторам сотрудничество
