Micron и Intel выпустят чипы флэш-памяти 3D NAND

Micron и Intel, следуя примеру Samsung, планируют выпустить на рынок новую флэш-память в формате чипов и твердотельных накопителей данных. Micron уже представила образцы новых решений, которые должны поступить на рынок к концу года. К отгрузке готовятся чипы NAND с ёмкостью 256 Гбит (технология MLC) и 384 Гбит (TLC). Стоит отметить, что Samsung с июля 2014 года отгружает 850-ю серию твердотельных дисков с чипами, имеющими ёмкость 86 Гбит (MLC) и 128 Гбит (TLC). Все три компании производят чипы с 32-мя полупроводниковыми слоями, расположенными друг над другом.

Intel и Micron отметили, что новые чипы позволят выпускать твердотельные диски в форм-факторе обычных USB флэш-накопителей с ёмкостью более 3,5 ТБ и стандартные 2,5-дюймовые SSD-диски с ёмкостью более 10 ТБ. Для достижения высокой скорости чтения/записи и большой пропускной способности компании применили несколько технических изменений и реализовали некоторые новые особенности в структуре 3D NAND, включая 4-плоскостную архитектуру, обеспечивающую вдвое большим числом адресуемых байтов в сравнении с 2-плоскостной. Улучшен интерфейс ONFI 4 и технология однопроходного заполнения.

Intel проектировала компоненты 3D NAND совместно с Micron. Обе компании имеют общий проект по разработке энергонезависимой памяти – предприятие IM Flash Technologies. Для производства используется фабрика в шт. Юта (США).