Стартап Crossbar показал технологию производства энергонезависимой памяти RRAM

Стартап Crossbar недавно показал технологию производства модулей резистивного ОЗУ (RRAM). Компания утверждает, что новая технология достигнет показателей ёмкости до 1 ТБ на единственном кристалле площадью в 200 кв. мм. Стартап также сообщил о разработке работающей матрицы ЗУ на базе коммерческих производственных мощностей, что является важнейшим шагом в развитии технологии выработки новой памяти, сигнализирующем о готовности начать первую фазу производства.

Новая 3-слойная технология предусматривает 3-мерную структуру, благодаря чему на базе одного чипа достигается ёмкость в несколько терабайт. Ячейка памяти основана на 3 простых слоях: неметаллическом нижнем электроде, аморфной кремниевой переключающей среде и металлическом верхнем электроде. Резистивный переключающий механизм основан на образовании нитей накала в специальной среде при подаче напряжения между двумя электродами. Простая и масштабируемая структура ячеек позволяет реализовать совершенно новый класс памяти RRAM, легко внедряемый в производственные линии на основе стандартных КМОП-техпроцессов. Возможность наращивания и совместимость с КМОП позволяют размещать ячейки памяти и логику на одном чипе при использовании самых передовых разрешающих способностей техпроцессов. Эта уникальная возможность недостижима при использовании других традиционных либо альтернативных технологий производства энергонезависимой памяти.

Компания Crossbar полагает, что её технология повысит скорость записи в 20 раз, понизит энергопотребление в 20 раз и увеличит износостойкость в 10 раз при вдвое меньшем по размерам кристалле, если сравнивать с существующей памятью типа NAND. Благодаря данному прорыву в производительности и надёжности, ёмкости и энергопотреблении, Crossbar откроет новую волну электронных инноваций в области потребительских, производственных, мобильных и промышленных решений.

Стартап планирует выйти на рынок автономных чипов, оптимизированных для исполнения кода и хранения данных и используемых вместо традиционной памяти типов NAND и NOR. Crossbar также собирается организовать лицензирование технологии для разработчиков СнК.