TriQuint выпускает 35-Вт 32-В мощные РЧ-транзисторы на нитриде галлия

TriQuint Semiconductor Inc. выпустил два 35-ваттных 32-вольтовых мощных РЧ-транзистора по технологии нитрида галлия на карбиде кремния. Компоненты, по данным разработчика, обладают оптимизированной мощностью и эффективностью, что ведёт к снижению итоговых затрат. Транзисторы T1G4003532-FL и T1G4003532-FS – это дискретные 37-ваттные (P3dB) ВПЭ-транзисторы, работающие от постоянного тока с частотой 3,5 ГГц.

Компоненты собраны по 0,25-мкм техпроцессу от TriQuint, который характеризуется улучшенными техниками пластин возбуждения для оптимизации мощности и эффективности при высоких напряжениях смещения на стоке. Оптимизация может снизить системные затраты за счёт уменьшения числа настраиваемых усилителей и снижения расходов на терморегулировании.

Транзисторы работают от напряжения 32 В, предлагая большее усиление и более 33 Вт выходной мощности. Они могут использоваться в качестве драйвера либо оконечного каскада. Компонент T1G4003532-FL выпускается в корпусе с креплением фланцев болтами, а компонент T1G4003532-FS – в корпусе без болтовых отверстий с креплением на припое. Оба разработаны для использования в коммерческих и военных радарах, профессиональных и военных системах радиосвязи, измерительных приборах, станциях радиоэлектронного подавления, широко- и узкополосных усилителях.

Устройства T1G4003532-FL и T1G4003532-FS  доступны для заказа со складов.