Infineon представила первую в мире 300-миллиметровую мощную GaN-технологию

Компания Infineon Technologies AG стала первопроходцем в разработке первой в мире технологии производства мощных 300-миллиметровых пластин на основе нитрида галлия (GaN), что знаменует собой значительный шаг вперед в полупроводниковой индустрии. Этот технологический прорыв открывает новые возможности для массового производства силовых полупроводников, необходимых для широкого спектра приложений.

Благодаря успешному внедрению 300-миллиметровых GaN-пластин в масштабируемое серийное производство, Infineon стала первой компанией, сумевшей реализовать такую технологию. Это существенно ускорит распространение силовых полупроводников на основе GaN в таких ключевых отраслях, как автомобилестроение, промышленное производство, бытовая электроника и телекоммуникации.

По сравнению с более традиционными 200-миллиметровыми пластинами, которые до сих пор доминировали на рынке, 300-миллиметровые GaN-пластины предлагают значительные преимущества. За счет увеличенного диаметра они позволяют производить в 2,3 раза больше чипов с одной пластины, что существенно повышает эффективность производства и снижает затраты.

Этот технологический скачок обещает значительно улучшить производительность и надежность устройств в различных сферах, включая источники питания для искусственного интеллекта, солнечные инверторы, зарядные устройства, адаптеры и системы управления электродвигателями.

Улучшение производственных процессов и стабильность поставок

Новая 300-миллиметровая GaN-технология Infineon обеспечивает высокую производственную эффективность, позволяет уменьшить размеры конечных продуктов и повышает стабильность поставок для клиентов благодаря применению масштабируемой модели производства. Интеграция этой технологии в существующие мощности по производству 300-миллиметровых кремниевых пластин в Виллахе (Австрия) демонстрирует способность компании гибко адаптировать свои производственные мощности для удовлетворения растущих рыночных требований.

Опираясь на многолетний опыт в производстве как 300-миллиметрового кремния, так и 200-миллиметрового GaN, Infineon теперь может полностью воспользоваться преимуществами обеих технологий, чтобы удовлетворить спрос на силовые решения нового поколения. По прогнозам, объем рынка GaN может достичь нескольких миллиардов долларов к концу текущего десятилетия, что подчеркивает актуальность инвестиций компании в эту сферу.

Роль GaN в будущем полупроводников

Этот успех Infineon был достигнут менее чем через год после приобретения компании GaN Systems, что укрепило позицию компании на быстро развивающемся рынке нитрида галлия. Как отметил генеральный директор Infineon, компания активно работает над применением всех трех ключевых полупроводниковых материалов — кремния, карбида кремния (SiC) и нитрида галлия (GaN) — для создания наиболее эффективных решений.

Infineon планирует впервые продемонстрировать свои 300-миллиметровые GaN-пластины на выставке electronica в Мюнхене в ноябре 2024 года. Ключевое преимущество новой технологии заключается в возможности использования существующего 300-миллиметрового оборудования для производства кремниевых пластин, что значительно упрощает и удешевляет переход на масштабное производство GaN. Эта технология открывает путь к достижению равенства стоимости GaN и кремния при схожих уровнях сопротивления, что дополнительно повышает коммерческую привлекательность GaN для различных отраслей.

Стратегическое значение и долгосрочные перспективы

Этот технологический прорыв подтверждает лидерство Infineon в области энергосистем и интернета вещей (IoT). Внедрение 300-миллиметровых пластин на основе GaN соответствует стратегическим целям компании, которые включают поддержку глобальных инициатив по декарбонизации и цифровизации. Силовые полупроводники, такие как GaN, играют ключевую роль в создании более энергоэффективных и компактных решений, необходимых для ускоренного перехода к более устойчивому и экологичному будущему.

Развитие 300-миллиметровой GaN-технологии не только укрепляет существующий ассортимент продукции Infineon, но и открывает новые горизонты для компании на полупроводниковом рынке, который быстро эволюционирует и становится все более конкурентным. Это достижение может привести к кардинальным изменениям в отрасли, обеспечивая Infineon конкурентное преимущество в борьбе за лидерство в мире высоких технологий.