Shin-Etsu Chemical разработала подложку диаметром 300 мм для выращивания GaN

Компания Shin-Etsu Chemical Co. Ltd начала поставки образцов своей новой подложки QST диаметром 300 мм (12 дюймов), специально разработанной для выращивания эпитаксиального слоя нитрида галлия (GaN). Это достижение следует за предыдущими предложениями компании: подложками QST диаметром 150 мм (6 дюймов) и 200 мм (8 дюймов), а также эпитаксиальными подложками GaN на QST. В ответ на растущий спрос Shin-Etsu успешно увеличила диаметр подложки до 300 мм, что обещает снизить затраты и улучшить производство устройств на базе GaN.

Традиционно производители устройств на основе GaN сталкивались с ограничениями из-за отсутствия подложек большого диаметра, совместимых с выращиванием GaN, несмотря на возможность использования существующих производственных линий на базе кремния. Новая подложка QST диаметром 300 мм решает эти проблемы, позволяя выращивать эпитаксиальный слой GaN без искажений и трещин, которые часто возникают на кремниевых подложках. Это улучшение не только повышает качество эпитаксиального слоя, но и значительно снижает производственные затраты, что делает технологию более привлекательной для широкого промышленного применения.

Подложка QST обладает важным преимуществом — её коэффициент теплового расширения совпадает с коэффициентом GaN, что минимизирует деформацию и появление трещин во время процесса выращивания. Это позволяет создавать высококачественные, толстые эпитаксиальные слои GaN на подложках большого диаметра, что делает материал особенно ценным для силовых устройств, высокочастотных компонентов и светодиодов. По мере роста спроса на энергоэффективные технологии, например, для источников питания дата-центров, многие заказчики уже оценивают потенциал подложек QST для практического применения.

Shin-Etsu Chemical также расширяет свои производственные мощности для выпуска подложек QST диаметром 150 мм и 200 мм, а в планах компании — массовое производство версии диаметром 300 мм. Это развитие, как ожидается, ускорит внедрение устройств на базе GaN и поспособствует инновациям в области энергоэффективных силовых устройств.

Компания продемонстрировала подложку QST диаметром 300 мм на выставке SEMICON TAIWAN 2024, подчеркнув свою приверженность развитию технологий GaN для более устойчивого будущего.