Geely интегрирует SiC MOSFET-чипы 4-го поколения ROHM в электромобили ZEEKR
Zhejiang Geely Holding Group внедрила SiC MOSFET-чипы 4-го поколения от компании ROHM Co. Ltd в тяговые инверторы трёх моделей бренда электромобилей ZEEKR. Эти силовые модули на базе карбида кремния (SiC), которые являются ключевыми для улучшения производительности электромобилей, с 2023 года находятся в серийном производстве. Производятся они компанией Haimosic (Shanghai) Co. Ltd — совместным предприятием ROHM и Zhenghai Group Co. Ltd — и поставляются Viridi E-Mobility Technology (Ningbo) Co. Ltd, основному поставщику электромобилей Geely.
Сотрудничество между Geely и ROHM началось в 2018 году с технических обсуждений и переросло в стратегическое партнёрство в 2021 году, сосредоточенное на силовых устройствах на базе карбида кремния (SiC). Внедрение SiC MOSFET от ROHM в модели ZEEKR X, 009 и 001 стало важным шагом в повышении дальности хода и общей производительности этих электромобилей. Технология SiC является ключевой для повышения энергоэффективности и, соответственно, увеличения запаса хода — важного параметра для электромобилей.
Технология SiC от ROHM и будущие планы
ROHM продолжает развивать технологию карбида кремния, планируя выпустить SiC MOSFET-чипы 5-го поколения к 2025 году и в дальнейшем представить устройства 6-го и 7-го поколений. Предоставляя SiC-продукты в различных форматах, включая чипы, дискретные компоненты и модули, ROHM способствует более широкому внедрению технологии SiC, которая играет важную роль в достижении целей устойчивого развития.
Модели ZEEKR с технологией SiC от ROHM
- ZEEKR X: Этот компактный SUV с мощностью свыше 300 кВт и дальностью хода более 400 км получает международное признание за свою экономичную производительность.
- ZEEKR 009: Минивэн с интеллектуальным кокпитом и батареей на 140 кВт·ч способен проехать до 822 км без подзарядки.
- ZEEKR 001: Флагманская модель с мощностью более 400 кВт и двумя моторами обеспечивает дальность хода свыше 580 км и оснащена системой независимого управления всеми колёсами для улучшения характеристик вождения.
SiC MOSFET-чипы от ROHM играют центральную роль в улучшении энергоэффективности и производительности электромобилей этих моделей, что отмечает значительный прогресс в технологиях для электромобилей.
Подписаться на почтовую рассылку / Авторам сотрудничество