Новый энергоэффективный техпроцесс с геометрией 0,18 мкм

Корейская корпорация MagnaChip, являющаяся производителем аналоговых и гибридных полупроводниковых компонентов, представила новый процесс производства с низким энергопотреблением и геометрией 0,18 мкм. Техпроцесс нацелен на производство мобильных устройств, носимой электроники, беспроводных датчиков, аккумулирующих энергию компонентов – ключевых устройств, влияющих на развитие сферы Интернета вещей (IoT).

Гибридный техпроцесс с использованием аналоговых и цифровых сигналов позволяет добиться преимуществ при производстве p- и n-канальных MOSFET-транзисторов с рабочим напряжением 1,8 В: низкого тока утечки (10 пА на микрон длины) и низкого порогового напряжения (около 0,3 В). Это позволяет выполнять схемы СнК с низким активным и пассивным энергопотреблением. Кроме того, техпроцесс позволяет оптимизировать повышающие преобразователи постоянного тока для работы с IoT-оборудованием (очень низкое напряжение запуска).

Новый техпроцесс также позволит реализовать эффективную работу IoT-компонентов от источников питания, таких как солнечные батареи, термоэлектрические генераторы, вибрационные и электромагнитные накопители энергии. Другими уникальными преимуществами техпроцесса является достижение отличных показателей изоляции и низкого коэффициента паразитного тока биполярных транзисторов (менее 0,01), что способствует повышенной стойкости к эффекту защёлкивания и меньшим токам утечки при изменении температуры и напряжения. Это достигается путём применения традиционных недорогих кремниевых пластин вместо более дорогих – типа «кремний-на-изоляторе».