Датчик изображения с задней подсветкой минимизирует потери на отражение

Imec разработала чип CMOS-датчика изображения с задней подсветкой (BSI) и новым антиотражающим покрытием, оптимизированным под УФ диапазон. Известные по своей чувствительности датчики с задней подсветкой (по сравнению с передней подсветкой) являются кандидатами на дальнейшее улучшение рабочих характеристик CMOS-матриц изображения. Широко используемые в современных смартфонах формирователи изображения с задней подсветкой должны ворваться в более дорогой сегмент продукции, в том числе промышленное оборудование.

Формирователи изображения с задней подсветкой имеют явное преимущество по фактору заполнения области пикселя, угловым характеристикам и полному отсутствию поглощения либо потерь на рассеивание в металлических межкомпонентных слоях. Как следствие улучшений по чувствительности возрастает сложность техпроцесса производства задней стороны датчика, увеличивается риск электрических и оптических потерь в его интерфейсе. Именно поэтому, инженерная работа над интерфейсами и задними слоями датчиков – это ключ к разработке высокопроизводительных компонентов с задней подсветкой.

Imec решает данные задачи для того, чтобы применить BSI-датчики в специализированных формирователях изображения, которые найдут применение в космической отрасли, высокоскоростных камерах, контроле при производстве полупроводников и в медицинской сфере.

Для минимизации потерь на отражении и максимизации передачи света на датчик для различных диапазонов спектра света разрабатываются специализированные антиотражающие покрытия. Их применяют на уровне пластины. Это является частью техпроцесса производства решений с задней подсветкой.

Imec уже разработала антиотражающее покрытие под диапазон видимого света (400-800 нм), имеющее 70 %-ную квантовую эффективность. Новое покрытие, предназначенное для УФ диапазона, показывает отличные характеристики с квантовой эффективностью свыше 50 % (на всем диапазоне от 260 до 400 нм).