Новый MOSFET-транзистор с рабочим напряжением до 800 В сократит потери на переключении

Toshiba анонсировала 800-В MOSFET-транзистор, выполненный на базе высоковольтной технологии суперперехода DTMOS IV. Согласно разработчикам, в компоненте TK17A80W задействован современный метод одиночного осаждения эпитаксиального слоя. Транзистор предназначен для схем оборудования с повышенной надёжностью и КПД, с компактными размерами.

В сравнении с другими техпроцессами, технология Deep Trench обеспечивает низким сопротивлением открытого состояния при более высокой температуре. Кроме того, сокращаются потери на переключении. Сочетание данных особенностей ведёт к более высокой эффективности в схемах блоков питания. Инженеры способны сократить размеры систем.

Технология DTMOS IV обеспечивает более быстрым переключением за счёт сокращения паразитной ёмкости между затвором и стоком. Типичное значение для транзистора TK17A80W – лишь 1450 пФ (при напряжении сток-исток на уровне 300 В и частоте 100 кГц). Максимальное номинальное напряжение компонента: 800 В (Vdss) ±30 В (Vgss), ток: 17 А. Максимальное сопротивление открытого состояния – 0,3 Ω.

Транзистор TK17A80W, предназначенный для схем блоков питания, адаптеров напряжения, обратноходовых преобразователей и светодиодного оборудования, будет выпускаться в 4 квартале 2014 года в полностью изолированном корпусе TO-220SIS. Для заказа доступны образцы компонента.