Samsung и Toshiba сосредоточили усилия на производстве памяти 3D NAND

Компания Samsung полным ходом принялась за серийное производство чипов флэш-памяти типа 3D V-NAND, используя мощности расположенных в Китае фабрик. Тем временем Toshiba достигла соглашений с SanDisk о совместном производстве в Японии.

Наращивание объёмов производства Samsung последовало после прошлогоднего августовского анонса компании о серийном выпуске многослойной флэш-памяти NAND с пропускной способностью 128 Гбит/с. Компания уже произвела чипы 3D V-NAND на фабриках в Корее.

Строительство новой фабрики заняло 20 месяцев с момента объявления Samsung в сентябре 2012 года о планах создания 230 тыс. кв. м. производственных мощностей в Сиане. В электронной переписке с порталом EE Times директор по планированию Samsung Хангу Соан отметил, что Сиань был выбран за развитую инфраструктуру, высокую квалификацию рабочей силы и роль города как важного центра информационных технологий Китая. Именно в нём производится до 50% всей флэш-памяти NAND.

Samsung планирует к концу года закончить строительство сианьского комплекса, в состав которого войдут сборочные фабрики и испытательные линии. Соан сообщил, что фабрика позволит Samsung оперативно откликаться на быстро растущие запросы клиентов в Китае и других странах.

Samsung не единственная компания, наращивающая производство флэш-памяти 3D NAND. В июле прошлого года Toshiba сообщила о повышении производственных мощностей NAND памяти и планах завершения второй фазы строительства завода Fab 5 в Йоккаити (Япония, префектура Миэ) летом 2014 года. На заводе будет запущен многослойный техпроцесс BiCS (Bit-Cost Scalable) для производства памяти 3D NAND.

Более того, совсем недавно Toshiba рассказала о планах сотрудничества с SanDisk и нового совместного предприятия на базе кампуса в Йоккаити. В ближайшие 3 года планируется модернизация фабрики Fab 2 на общую сумму 7 млрд. долларов. Завершение работ ожидается в сентябре 2015 года. На фабрике появится чистое производственное помещение, строительство которого будет происходить поэтапно для реализации плавного перехода от производства 2D NAND к 3D NAND.

В это время SanDisk планирует повысить свои капиталовложения после инвестиций 28% средств в 2012 году и 12% в 2013. Ожидается, что компания покажет максимальный рост капиталовложений (до 86%) на расширение совместного с Toshiba производства передовой флэш-памяти 3D NAND.

Одной из основных задач при производстве памяти 3D NAND становится разработка нового экономичного техпроцесса. Соан отмечает, что Samsung может применить существующие технологии производства для большинства фаз техпроцесса. Однако при производстве памяти V-NAND требуются более сложные шаги для вертикального размещения слоёв.

Как отмечал в прошлом году Джи Хэнди, главный аналитик Objective Analysis, в интервью EE Times, для того, чтобы был смысл выпускать память типа 3D NAND, её стоимость должна быть значительно дешевле памяти 2D NAND. Он также замечал, что ряд новых техпроцессов лишь только предстоит опробовать в производстве полупроводников.

А тем временем компания Micron пока решила повременить с выпуском образцов памяти 3D NAND, поскольку не хочет раскрывать особенности решений перед конкурентами. Директор компании, Марк Дункан, ожидает выпуск нового типа памяти в конце 2014 года. Компания достигла определённого прогресса в производстве памяти 3D NAND.

Дункан также сообщил, что рынок памяти 3D NAND начнёт стремительный рост во второй половине 2015 или даже позже. Эта информация соответствует прогнозам. А пока разработчики решений стараются улучшить процессы производства памяти 2D NAND. Недавно Toshiba и SanDisk анонсировали 15-нм техпроцесс, который станет переходным к памяти типа 3D NAND.