Cypress представляет свою первую асинхронную память SRAM со встроенным кодом коррекции ошибок

Корпорация Cypress представила быстрые 16-Мб чипы асинхронной памяти SRAM со встроенным кодом коррекции ошибок (ECC). Согласно разработчикам, встроенный код ECC позволяет добиться наибольшей надёжности работы с данными без применения дополнительных чипов коррекции. Это способствует упрощению и компактности схем. Новые чипы могут применяться в широком диапазоне устройств: промышленном, военном и коммуникационном оборудовании; системах обработки данных; медицинских, потребительских и автомобильных системах.

Случайные сбои, вызванные внешним излучением, могут повредить данные в памяти, что может привести к потере важной информации. Аппаратный ECC блок в модулях SRAM выполняет все функции коррекции ошибок с наилучшей производительностью (Soft Error Rate). Модули имеют 10-нс время доступа при совместимости по выводам с существующей на рынке асинхронной памятью SRAM. Это позволит модернизировать схемы без изменения компоновки.

Cypress также представила семейство модулей «Fast SRAM with PowerSnooze», сочетающих время доступа 10 нс с низким энергопотреблением в режиме ожидания. Функция PowerSnooze – это дополнительный энергосберегающий режим «глубокого сна» с током потребления 12 мкА (для 16-Мб модулей SRAM).

Чипы асинхронной памяти SRAM от Cypress выпускаются в стандартных конфигурациях x8, x16 и x32. Компоненты работают от различного напряжения (1.8, 3 и 5 В) при температурах от -40°C до 85°C (промышленный диапазон) и от -40°C до 125°C (автомобильный диапазон).

Новые решения для температуры промышленного диапазона доступны в виде образцов. Производство намечено на октябрь 2014 года. Чипы будут выпускаться в 48-выводных корпусах TSOP I, 48-выводных VFBGA (шариковые выводы), 119-выводных BGA (шариковые выводы) и 54-выводных корпусах TSOP II.