Сдвоенные структуры EPAD MOSFET расширяют рабочий диапазон устройств

Недавно дистрибьютор Mouser Electronics анонсировал выход прецизионных n-канальных структур EPAD MOSFET от Advanced Linear Devices (ALD), расширяющих рабочий диапазон датчиков, аккумулирующих энергию систем и мобильных устройств с низким энергопотреблением.

Новые решения ALD точно согласованы на фабрике при помощи технологии EPAD CMOS. Сдвоенные монолитные устройства представляют собой расширенное дополнение компонентов ALD110900A/ALD110900 семейства EPAD MOSFET. При этом они обладают лучшими показателями проводимости в прямом направлении и выходной проводимости при очень низких напряжениях питания. Разработанные для низковольтных маломощных схем компоненты ALD212900A/ALD212900 имеют нулевое пороговое напряжение, что позволяет реализовать цепи с привязанными к «земле» входными/выходными сигналами при расширенных диапазонах рабочего напряжения.

За счёт новых устройств цепь с множеством каскадов может работать при экстремально низком уровне напряжения смещения/питания. Прецизионные устройства обеспечивают гибкость при проектировании широкого ряда аналоговых малосигнальных схем: токовых зеркал, согласующих цепей, источников тока, входных каскадов с дифференциальными усилителями, проходных ключей. Новые компоненты отлично работают в схемах с ограничением напряжения: цепях фиксации и постоянно активных системах со сверхнизким потреблением питания.