MB51T008A Модуль питания из нитрида галлия от Fujitsu

Компания Fujitsu Semiconductor Limited (FSL) выпустила компонент MB51T008A – основанный на кремниевой подложке модуль питания из нитрида галлия (GaN) с напряжением пробоя 150 В. Устройство, работающее в режиме обеднения, по грубым подсчётам способно достичь показателя добротности в 2 раза меньше по сравнению с кремниевыми модулями с аналогичным пробивным напряжением.

Чип MB51T008A имеет ряд преимуществ: сопротивление открытого состояния 13 мΩ и суммарный заряд затвора 16 нКл. Компонент также обладает минимальной паразитной индуктивностью, работает с высокими частотами за счёт используемого корпуса WLCSP. Фирменная конструкция затвора позволяет работать в обеднённом режиме. Новый модуль идеален для переключателей верхнего и нижнего плеча в DC/DC-преобразователях, применяющихся в блоках питания коммуникационного оборудования, промышленных систем и автомобильной электроники.

В дополнение к чипу MB51T008A, имеющему напряжение пробоя 150 В, компания разрабатывает модели с напряжением пробоя 600 и 30 В, что может способствовать улучшению КПД схем в широком диапазоне устройств. Новые модули питания из нитрида галлия основаны на технологии HEMT (транзисторы с высокой подвижностью электронов), которую корпорация Fujitsu разрабатывает с 1980 года. Основываясь на богатой коллекции наработок в данной технологии, Fujitsu Semiconductor будет поставлять на рынок силовые решения из нитрида галлия. Компания также планирует выстроить партнёрские отношения с заказчиками в различных промышленных сферах для дальнейшего расширения бизнеса.

Компания также планирует рассказывать об улучшениях рабочих характеристик модулей питания из нитрида галлия с напряжением пробоя 600 В, а также о прототипах и данных тестирования блоков питания с мощностью 2.5 кВт на базе новых GaN-устройств, высокочастотных схем коррекции коэффициента мощности и DC/DC-преобразователей.