MHP-25PRA52-100R

MHP-25PRA52-100R datasheet скачать даташит

Сообщить об ошибке

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

Маркировка

MHP-25PRA52-100R
Производитель

YAGEO Corporation
Описание

YAGEO Corporation MHP-25PRA52-100R Case: Axial Composition: Metal Film Features: - Height: - Lead Style: Through Hole Package / Case: Axial Power (watts): 0.25W, 1/4W Resistance (ohms): 100 Resistance In Ohms: 100 Series: MHP Size / Dimension: 0.071" Dia x 0.244" L (1.80mm x 6.20mm) Temperature Coefficient: ?±5ppm/?°C Tolerance: ?±0.02%
Количество страниц

1 шт.
Формат

PDF
(Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)
Размер файла

4,86 KB

MHP-25PRA52-100R datasheet скачать

MHP-25PRA52-100R datasheet

Все даташиты (технические описания) представлены в формате PDF с использованием Adobe Acrobat Reader, который Вы можете бесплатно скачать.

Сообщить об ошибке

Новости электроники

<p>На недавних тестах MLPerf впервые появился топовый графический процессор AMD MI300X, что стало важным событием на рынке высокопроизводительных вычислений и искусственного интеллекта (ИИ). В течение длительного времени Nvidia удерживала лидирующие позиции благодаря своей передовой линейке ускорителей, таких как H100 и новейший H200.</p>

AMD сокращает разрыв с Nvidia в бенчмарках MLPerf

05.10.2024

<p>Компания Shin-Etsu Chemical Co. Ltd начала поставки образцов своей новой подложки QST диаметром 300 мм (12 дюймов), специально разработанной для выращивания эпитаксиального слоя нитрида галлия (GaN). Это достижение следует за предыдущими предложениями компании: подложками QST диаметром 150 мм (6 дюймов) и 200 мм (8 дюймов), а также эпитаксиальными подложками GaN на QST. В ответ на растущий спрос Shin-Etsu успешно увеличила диаметр подложки до 300 мм, что обещает снизить затраты и улучшить производство устройств на базе GaN.</p>

Shin-Etsu Chemical разработала подложку диаметром 300 мм для выращивания GaN

04.10.2024

<p>Zhejiang Geely Holding Group внедрила SiC MOSFET-чипы 4-го поколения от компании ROHM Co. Ltd в тяговые инверторы трёх моделей бренда электромобилей ZEEKR. Эти силовые модули на базе карбида кремния (SiC), которые являются ключевыми для улучшения производительности электромобилей, с 2023 года находятся в серийном производстве. Производятся они компанией Haimosic (Shanghai) Co. Ltd — совместным предприятием ROHM и Zhenghai Group Co. Ltd — и поставляются Viridi E-Mobility Technology (Ningbo) Co. Ltd, основному поставщику электромобилей Geely.</p>

Geely интегрирует SiC MOSFET-чипы 4-го поколения ROHM в электромобили ZEEKR

03.10.2024

Еще новости

Золотая осень в ТМ Электроникс

Всё для радиолюбителя - Схемы цифровых и аналоговых устройств, статьи, журналы и книги, софт. Форум.

Всё для радиолюбителя

Схемы цифровых и аналоговых устройств, статьи, журналы и книги, софт. Форум.

Разместить объявление

Подписаться на новости

Хотите интересные новости электроники? Подпишитесь на рассылку наших новостей.