SUM90N10-8M2P-E3
![](/img-new/pdf.png)
SUM90N10-8M2P-E3 datasheet
-
МаркировкаSUM90N10-8M2P-E3
-
ПроизводительVishay Intertechnology
-
ОписаниеVishay Intertechnology SUM90N10-8M2P-E3 Configuration: Single Continuous Drain Current: 90 A Current - Continuous Drain (id) @ 25?° C: 90A Drain Source Voltage Vds: 100V Drain To Source Voltage (vdss): 100V Drain-source Breakdown Voltage: 100 V Fet Feature: Standard Fet Type: MOSFET N-Channel, Metal Oxide Gate Charge (qg) @ Vgs: 150nC @ 10V Gate-source Breakdown Voltage: +/- 20 V ID_COMPONENTS: 1716616 Input Capacitance (ciss) @ Vds: 6290pF @ 50V Maximum Operating Temperature: + 175 C Minimum Operating Temperature: - 55 C Mounting Style: SMD/SMT Mounting Type: Surface Mount On Resistance Rds(on): 6.7mohm Operating Temperature Range: -55?‚?°C To +175?‚?°C Package / Case: TO-263-3, D??Pak (2 leads + Tab), TO-263AB Power - Max: 3.75W Power Dissipation: 3.75 W Rds On (max) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 20A, 10V Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V Resistance Drain-source Rds (on): 0.0082 Ohms Rohs Compliant: Yes Series: TrenchFET?® Transistor: RoHS Compliant Transistor Case Style: TO-263 Transistor Polarity: N Channel Vgs(th) (max) @ Id: 4.5V @ 250?µA Voltage Vgs Max: 20V Other Names: SUM90N10-8M2P-E3TR
-
Количество страниц6 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
![<p>Компания Mitsubishi Electric Corp. Анонсировала линейку новейших силовых полупроводниковых модулей серии J3. Изделия предназначены для самого широкого модельного ряда электромобилей (xEV). Презентация была проведена на выставке NEPCON JAPAN 2024, прошедшей в Tokyo Big Sight. Силовые полупроводниковые модули серии J3 позволят более эффективно управлять питанием электромобилей и являются следующим шагом в развитии следующих поколений данных типов авто.</p> <p>Компания Mitsubishi Electric Corp. Анонсировала линейку новейших силовых полупроводниковых модулей серии J3. Изделия предназначены для самого широкого модельного ряда электромобилей (xEV). Презентация была проведена на выставке NEPCON JAPAN 2024, прошедшей в Tokyo Big Sight. Силовые полупроводниковые модули серии J3 позволят более эффективно управлять питанием электромобилей и являются следующим шагом в развитии следующих поколений данных типов авто.</p>](/images/cache/20f024271d837d00d1ebb5d88818e39c.png)
14.06.2024
![<p>Компания STMicroelectronics начала производство программируемого модуля IoT System-in-Package (SiP) большой дальности действия и низким энергопотреблением. Передовой модуль, содержащий двухъядерную беспроводную систему-на-кристалле (SoC), существенно упрощает разработку таких приложений, как интеллектуальное зондирование и удаленный мониторинг, предлагая бесшовные беспроводные соединения LPWAN.</p> <p>Компания STMicroelectronics начала производство программируемого модуля IoT System-in-Package (SiP) большой дальности действия и низким энергопотреблением. Передовой модуль, содержащий двухъядерную беспроводную систему-на-кристалле (SoC), существенно упрощает разработку таких приложений, как интеллектуальное зондирование и удаленный мониторинг, предлагая бесшовные беспроводные соединения LPWAN.</p>](/images/cache/95755901a11c9d595976efca1a1e238f.png)
13.06.2024
![<p>CXL, передовая технология взаимодействие хост-процессора с акселераторами, буферами памяти, устройствами ввода/вывода. Она решает задачу "memory wall", то есть ограничения производительности вычислительных систем скоростью доступа к памяти. Данная технология позволяет лучшим образом согласовать CPU/GPU и подключенную память устройства, повышая производительность гетерогенных вычислений.</p> <p>CXL, передовая технология взаимодействие хост-процессора с акселераторами, буферами памяти, устройствами ввода/вывода. Она решает задачу "memory wall", то есть ограничения производительности вычислительных систем скоростью доступа к памяти. Данная технология позволяет лучшим образом согласовать CPU/GPU и подключенную память устройства, повышая производительность гетерогенных вычислений.</p>](/images/cache/47ff4b81a083fc5dc9bd623bb83d1e62.png)
12.06.2024