Технология флэш-памяти NAND девятого поколения от Micron

Компания Micron Technology Inc. объявила о начале поставок своей NAND флэш-памяти девятого поколения (G9), которая устанавливает новый стандарт в отрасли хранения данных. NAND G9 от Micron, теперь интегрированная в твердотельные накопители, достигает беспрецедентного уровня производительности, обеспечивая самую высокую скорость передачи данных в отрасли — 3,6 ГБ/с. Это достижение укрепляет позиции компании Micron как лидера в технологии NAND, обеспечивая значительное повышение производительности и эффективности для широкого спектра приложений.

Передовые технологии и исключительная производительность

Технология Micron G9 NAND разработана с учетом требований приложений, интенсивно работающих с данными, включая искусственный интеллект (ИИ), персональные устройства, пограничные серверы, корпоративные и облачные центры обработки данных. Она обеспечивает на 50% более высокую скорость передачи данных по сравнению с любой другой NAND, доступной в настоящее время в твердотельных накопителях, что приводит к существенному приросту производительности.

G9 NAND также характеризуется увеличением пропускной способности записи на 99% и пропускной способности чтения на 88% на один кристалл по сравнению с конкурентными решениями, что повышает производительность и энергоэффективность твердотельных накопителей и встраиваемых систем.

Компактный дизайн и широкая совместимость

Помимо значительных преимуществ в производительности, NAND Micron G9 разработана с учетом максимальной экономии пространства, что особенно важно в условиях постоянно растущего спроса на миниатюризацию и компактность электронных компонентов. Компактный корпус размером 11,5 на 13,5 мм занимает на 28% меньше площади по сравнению с ближайшими конкурентами, что делает её самой миниатюрной NAND высокой плотности, доступной на рынке. Этот фактор критически важен для разработчиков, стремящихся оптимизировать использование внутреннего пространства в устройствах.

Уменьшение занимаемой площади открывает новые возможности для создания более универсальных и гибких конструкций, которые могут найти применение в самых различных областях — от компактных устройств потребительской электроники, таких как смартфоны и планшеты, до высокопроизводительных корпоративных систем хранения данных и серверных решений. В особенности это актуально для мобильных устройств, где каждый миллиметр пространства имеет значение для увеличения емкости аккумулятора или добавления новых функциональных модулей.

Несмотря на компактные размеры, NAND G9 демонстрирует впечатляющие показатели плотности памяти, которые на 73% превосходят существующие на рынке технологии. Это позволяет значительно увеличить объемы хранения данных без необходимости увеличения физических размеров устройств. В свою очередь это способствует созданию более мощных и энергоэффективных решений для хранения данных, что особенно важно в условиях роста объемов информации и требований к быстродействию в современных вычислительных средах.

Благодаря этим характеристикам, NAND Micron G9 становится идеальным выбором для производителей, стремящихся создать продукты с высокой производительностью и плотностью хранения данных, одновременно снижая требования к физическому пространству и энергопотреблению.

• Самая высокая скорость передачи данных в отрасли: 3,6 ГБ/с для превосходной производительности чтения и записи данных.
• Повышенная пропускная способность: до 99% выше пропускная способность записи и на 88% выше пропускная способность чтения в расчете на один кристалл по сравнению с конкурентами.
• Компактный дизайн: корпус размером 11,5 на 13,5 мм занимает на 28% меньше места, чем аналогичные продукты, обеспечивая максимальную гибкость при проектировании.
• Повышенная плотность: плотность на 73% выше по сравнению с конкурирующими технологиями, что позволяет создавать более компактные и эффективные решения для хранения данных.
• Энергоэффективность: увеличение производительности приводит к снижению энергопотребления, что выгодно как потребителям, так и предприятиям.

NAND G9 от Micron также используется в новом твердотельном накопителе Micron 2650 NVMe, который обеспечивает лучшую в своем классе производительность для повседневных вычислений. Твердотельный накопитель 2650 NVMe демонстрирует ускоренное кэширование с помощью динамического SLC-кэша, достигая скорости последовательного чтения до 7 000 МБ/с для PCIe Gen4.

По сравнению с конкурентами, 2650 NVMe демонстрирует до 70% лучшее последовательное чтение, до 103% лучшее последовательное запись, до 156% лучшее случайное чтение и до 85% лучшее случайное запись, устанавливая новый стандарт производительности твердотельных накопителей.

Эта передовая технология NAND доступна не только в твердотельном накопителе Micron 2650, но и в компонентах, а также в потребительских твердотельных накопителях Crucial. NAND G9 от Micron, несомненно, станет основой для будущих инноваций в области хранения данных, стимулируя прогресс во всех сегментах рынка.