CGA4F2X8R1E154M085AD

CGA4F2X8R1E154M085AD datasheet скачать даташит

Сообщить об ошибке

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

Маркировка

CGA4F2X8R1E154M085AD
Производитель

TDK Corporation
Описание

CAP CER 0.15UF 25V 20% X8R 0805
Количество страниц

22 шт.
Формат

PDF
(Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)
Размер файла

318,90 KB

CGA4F2X8R1E154M085AD datasheet скачать

CGA4F2X8R1E154M085AD datasheet

Все даташиты (технические описания) представлены в формате PDF с использованием Adobe Acrobat Reader, который Вы можете бесплатно скачать.

Сообщить об ошибке

Новости электроники

<p>Компания Infineon Technologies AG стала первопроходцем в разработке первой в мире технологии производства мощных 300-миллиметровых пластин на основе нитрида галлия (GaN), что знаменует собой значительный шаг вперед в полупроводниковой индустрии. Этот технологический прорыв открывает новые возможности для массового производства силовых полупроводников, необходимых для широкого спектра приложений.</p>

Infineon представила первую в мире 300-миллиметровую мощную GaN-технологию

06.10.2024

<p>На недавних тестах MLPerf впервые появился топовый графический процессор AMD MI300X, что стало важным событием на рынке высокопроизводительных вычислений и искусственного интеллекта (ИИ). В течение длительного времени Nvidia удерживала лидирующие позиции благодаря своей передовой линейке ускорителей, таких как H100 и новейший H200.</p>

AMD сокращает разрыв с Nvidia в бенчмарках MLPerf

05.10.2024

<p>Компания Shin-Etsu Chemical Co. Ltd начала поставки образцов своей новой подложки QST диаметром 300 мм (12 дюймов), специально разработанной для выращивания эпитаксиального слоя нитрида галлия (GaN). Это достижение следует за предыдущими предложениями компании: подложками QST диаметром 150 мм (6 дюймов) и 200 мм (8 дюймов), а также эпитаксиальными подложками GaN на QST. В ответ на растущий спрос Shin-Etsu успешно увеличила диаметр подложки до 300 мм, что обещает снизить затраты и улучшить производство устройств на базе GaN.</p>

Shin-Etsu Chemical разработала подложку диаметром 300 мм для выращивания GaN

04.10.2024

Еще новости

Золотая осень в ТМ Электроникс

Экспресс доставка электронных компонентов - Digikey, Newark, Mouser от 5 дней!

Экспресс доставка электронных компонентов

Digikey, Newark, Mouser от 5 дней!

Разместить объявление

Подписаться на новости

Хотите интересные новости электроники? Подпишитесь на рассылку наших новостей.