Многоуровневый процесс SK keyfoundry IMD для конденсаторов с высоким пробивным напряжением

07.10.2025

 SK keyfoundry представила новый технологический процесс Multi-Level Thick IMD (Inter-Metal Dielectric), обеспечивающий конденсаторы с улучшенными характеристиками пробивного напряжения и повышенной надежностью.

SK keyfoundry представила новый технологический процесс Multi-Level Thick IMD (Inter-Metal Dielectric), обеспечивающий конденсаторы с улучшенными характеристиками пробивного напряжения и повышенной надежностью.

Технологические особенности

Высокие значения пробивного напряжения межметаллического диэлектрика значительно повышают надежность и долговечность полупроводниковых устройств, а также их устойчивость к шумам. Новый процесс SK keyfoundry позволяет формировать до трёх слоев межметаллического диэлектрика (IMD), каждый толщиной до 6 мкм, что в сумме обеспечивает до 18 мкм в структуре MIM (Metal-Insulator-Metal).

Такое решение позволяет достичь пробивного напряжения до 19 кВ, высоких параметров емкости, подавления паразитных ёмкостей в электронных схемах. Благодаря этим характеристикам технология подходит для производства конденсаторов, применяемых в системах цифровой изоляции и для снижения влияния емкостной связи.

Надежность и стандарты

Конденсаторы, изготовленные с использованием нового процесса, прошли проверку методом TDDB (Time Dependent Dielectric Breakdown) у ключевых заказчиков и подтвердили соответствие международному стандарту AEC-Q100 для автомобильных полупроводников. Это гарантирует их надежную работу в условиях повышенных температур, вибраций и других факторов агрессивной среды.

Дополнительно процесс легко интегрируется в технологии 0,13 мкм и 0,18 мкм BCD, что делает его оптимальным решением для автомобильной электроники.

Поддержка разработки

Для упрощения внедрения клиенты получают доступ к инструментам проектирования, включая:

  • PDK (Process Design Kit);
  • DRC (Design Rule Check);
  • LPE (Layout Parasitic Extraction);
  • LVS (Layout vs Schematic);
  • Pcell (Parameter Cell).

Эти решения позволяют ускорить проектирование и снизить затраты на разработку новых устройств.

Применение и конкурентные преимущества

SK keyfoundry отмечает, что цифровая изоляция на базе Multi-Level Thick IMD обеспечивает выигрыш по таким ключевым параметрам, как: надежность, уровень интеграции,
производительность, экономичность.

По сравнению с традиционными оптическими изоляторами новая технология выгодно выделяется своей долговечностью и устойчивостью к шумам.

Она уже рассматривается для применения в следующих областях:

  • электромобили (EV),
  • промышленная электроника,
  • телекоммуникации,
  • медицинская техника.

Таблица технических характеристик процесса SK keyfoundry Multi-Level Thick IMD

Параментр Значение
Тип структуры Metal-Insulator-Metal (MIM)
Количество IMD-слоёв до 3
Толщина одного слоя IMD до 6 мкм
Общая толщина IMD до 18 мкм
Пробивное напряжение до 19 кВ
Поддерживаемые технологии 0,13 мкм и 0,18 мкм BCD
Соответствие стандартам AEC-Q100 (автомобильные полупроводники)
Пройденные испытания TDDB (Time Dependent Dielectric Breakdown)
Инструменты проектирования PDK, DRC, LPE, LVS, Pcell
Основные области применения Автомобильная электроника, промышленность, телекоммуникации, медицина


Наши новости один раз в неделю на ваш емайл
Подписаться на почтовую рассылку / Авторам сотрудничество
ТМ Электроникс



Электронные компоненты и радиодетали - Подробный каталог компонентов с фото, наличием и ценой. Удобный поиск. Экспресс доставка.
Подробный каталог компонентов с фото, наличием и ценой. Удобный поиск. Экспресс доставка.
Подписаться на новости

Хотите интересные новости электроники? Подпишитесь на рассылку наших новостей.


Новости электроники

Еще новости

В архив даташитов сегодня добавили