Многоуровневый процесс SK keyfoundry IMD для конденсаторов с высоким пробивным напряжением

SK keyfoundry представила новый технологический процесс Multi-Level Thick IMD (Inter-Metal Dielectric), обеспечивающий конденсаторы с улучшенными характеристиками пробивного напряжения и повышенной надежностью.
Технологические особенности
Высокие значения пробивного напряжения межметаллического диэлектрика значительно повышают надежность и долговечность полупроводниковых устройств, а также их устойчивость к шумам. Новый процесс SK keyfoundry позволяет формировать до трёх слоев межметаллического диэлектрика (IMD), каждый толщиной до 6 мкм, что в сумме обеспечивает до 18 мкм в структуре MIM (Metal-Insulator-Metal).
Такое решение позволяет достичь пробивного напряжения до 19 кВ, высоких параметров емкости, подавления паразитных ёмкостей в электронных схемах. Благодаря этим характеристикам технология подходит для производства конденсаторов, применяемых в системах цифровой изоляции и для снижения влияния емкостной связи.
Надежность и стандарты
Конденсаторы, изготовленные с использованием нового процесса, прошли проверку методом TDDB (Time Dependent Dielectric Breakdown) у ключевых заказчиков и подтвердили соответствие международному стандарту AEC-Q100 для автомобильных полупроводников. Это гарантирует их надежную работу в условиях повышенных температур, вибраций и других факторов агрессивной среды.
Дополнительно процесс легко интегрируется в технологии 0,13 мкм и 0,18 мкм BCD, что делает его оптимальным решением для автомобильной электроники.
Поддержка разработки
Для упрощения внедрения клиенты получают доступ к инструментам проектирования, включая:
- PDK (Process Design Kit);
- DRC (Design Rule Check);
- LPE (Layout Parasitic Extraction);
- LVS (Layout vs Schematic);
- Pcell (Parameter Cell).
Эти решения позволяют ускорить проектирование и снизить затраты на разработку новых устройств.
Применение и конкурентные преимущества
SK keyfoundry отмечает, что цифровая изоляция на базе Multi-Level Thick IMD обеспечивает выигрыш по таким ключевым параметрам, как: надежность, уровень интеграции,
производительность, экономичность.
По сравнению с традиционными оптическими изоляторами новая технология выгодно выделяется своей долговечностью и устойчивостью к шумам.
Она уже рассматривается для применения в следующих областях:
- электромобили (EV),
- промышленная электроника,
- телекоммуникации,
- медицинская техника.
Таблица технических характеристик процесса SK keyfoundry Multi-Level Thick IMD
| Параментр | Значение |
| Тип структуры | Metal-Insulator-Metal (MIM) |
| Количество IMD-слоёв | до 3 |
| Толщина одного слоя IMD | до 6 мкм |
| Общая толщина IMD | до 18 мкм |
| Пробивное напряжение | до 19 кВ |
| Поддерживаемые технологии | 0,13 мкм и 0,18 мкм BCD |
| Соответствие стандартам | AEC-Q100 (автомобильные полупроводники) |
| Пройденные испытания | TDDB (Time Dependent Dielectric Breakdown) |
| Инструменты проектирования | PDK, DRC, LPE, LVS, Pcell |
| Основные области применения | Автомобильная электроника, промышленность, телекоммуникации, медицина |
Подписаться на почтовую рассылку / Авторам сотрудничество






