Rapidus начинает прототипирование 2-нм транзисторов с архитектурой GAA на заводе IIM-1

Японская компания Rapidus Corporation объявила о начале прототипирования транзисторов с архитектурой Gate-All-Around (GAA) по технологическому нормативу 2 нм. Работы ведутся на передовом производственном комплексе IIM-1 (Innovative Integration for Manufacturing) компании. Параллельно начаты измерения электрических характеристик опытных полупроводниковых пластин, что стало важной вехой в развитии 2-нм технологии.

IIM-1: инновация в производстве полупроводников

Производственный центр IIM-1 знаменует собой отход от классической модели фабрикации микросхем. Rapidus применяет новую философию "интеллектуального производства", ориентированную на обучение, оптимизацию и адаптацию технологических процессов в реальном времени. Основой этой концепции является одно-пластинная (single-wafer) поштучная обработка пластин на переднем этапе (front-end) и экстремальная ультрафиолетовая литография (EUV).

Однопластинная обработка и интеграция ИИ

Применение одно-пластинной обработки позволяет производить индивидуальную настройку параметров для каждой пластины с последующей проверкой. Если параметры подтверждаются, то они масштабируются на весь производственный цикл. Такая методика позволяет получать значительно больше данных, чем традиционные подходы, что в свою очередь усиливает эффективность алгоритмов машинного обучения, направленных на оптимизацию производства и повышение выхода годной продукции. Rapidus — одна из пионеров-компания, нацеленных на коммерческое использование данной технологии в рамках своей модели Rapid and Unified Manufacturing Service (RUMs).

Литография EUV и реализация 2-нм GAA

Для создания архитектуры GAA поколения 2 нм требуется сверхточная литография. Rapidus стала первой компанией в Японии, установившей новейшее оборудование для литографии в EUV-диапазоне. Оборудование было поставлено в декабре 2024 года, а первые успешные работы с его использованием завершились уже в апреле 2025 года — менее чем за три месяца после поставки.

Инфраструктура и сроки масштабирования

С момента начала строительства в сентябре 2023 года Rapidus достигла ряда ключевых рубежей: запуск чистой комнаты в 2024 году и интеграция более 200 единиц передового оборудования в июне 2025 года. Сегодняшнее сообщение о прототипировании 2-нм GAA-структур с подтвержденными электрическими параметрами логично завершает этот этап.

Поддержка клиентов и коммерциализация

В настоящее время Rapidus разрабатывает комплект для разработки технологических процессов (PDK), адаптированный под 2-нм платформу IIM-1. Выпуск PDK для предварительного тестирования заказчиков запланирован на первый квартал 2026 года. Также создается соответствующая среда, позволяющая партнёрам самостоятельно начать прототипирование на базе IIM-1. Начало массового производства микросхем по 2-нм техпроцессу запланировано на 2027 год.