MOSFET-транзисторы Infineon CoolSiC™ 1200 В G2 в корпусе Q-DPAK с верхним охлаждением

Компания Infineon Technologies AG, являющаяся одним из лидеров в области силовой электроники, презентовала выпуск новейшего поколения MOSFET-транзисторов CoolSiC™ на основе карбида кремния (SiC). Изделия серии CoolSiC™ 1200 В G2 изготовлены в оригинальном инновационном корпусе Q-DPAK, снабженным верхним охлаждением (TSC). MOSFET-транзисторов разработаны для успешного применения в промышленных комплексах повышенной сложности, где критически важны не только энергоэффективность и высокая надежность, но также тепловая стабильность и небольшие габаритные размеры устройства.

Оптимизация производительности и общее повышение эффективности систем

По сравнению с предыдущим поколением (G1), транзисторы CoolSiC G2 обеспечивают снижение коммутационных потерь на четверть (до 25 % ), при этом сохраняется аналогичное сопротивление RDS(on). Это напрямую способствует повышению общей эффективности преобразователей питания до 0,1%. Данный подход особенно актуален на фоне постоянного роста требований к общей энергоэффективности оборудования и сведению к минимуму тепловых потерь в системах с высокой плотностью мощности.

Продвинутые технологии и термостойкость

Благодаря применению инновационная технологии крепления кристалла .XT die attach удалось достичь снижения теплового сопротивления более чем на 15 %, при этом показатель температуры на переходе снизился на 11 % в сравнении с предшественниками. Данная технология существенно повышает отвод тепла от кристалла к радиатору, что приводит к увеличению срока службы компонента, что крайне важно при продолжительных периодах функционирования под нагрузкой.

Устройства обладают отличными значениями RDS(on) (от 4 мОм до 78 мОм), что делает их универсальными для выполнения широкого спектра задач, в том числе работа в зарядных станциях для электромобилей, в инверторах солнечных электростанций, ИБП, серводрайверах, частотных преобразователях и твердотельных выключателях. Кроме того, достигнута высокая надежность при перегрузках и в переходных режимах. Мощные силовые ключи поддерживают перегрузочную работу при температуре перехода до 200°C, демонстрируя высокую устойчивость к кратковременным экстремальным режимам. Транзисторы обладают повышенной стойкостью к паразитному самопроизвольному включению и рассчитаны на работу в условиях высокой динамической нагрузки, что критически важно при переключении на высоких частотах.

Корпус Q-DPAK с верхним охлаждением — платформа нового поколения

В новых MOSFET доступны два типа компоновки: одиночный ключ и полумостовая схема (dual half-bridge). Оба решения включены в платформу Infineon X-DPAK TSC, которая обеспечивает унифицированную высоту корпуса (порядка 2,3 мм). Это дает возможность разработчикам создавать модульные сборки с универсальным радиатором и легко размещать решения в пределах одной платформы. Корпус Q-DPAK с верхним отводом тепла улучшает эффективность теплообмена за счет прямого контакта верхней поверхности устройства с радиатором. Таким образом устраняется необходимость в каких-то дополнительных термоинтерфейсах между подложкой и охлаждающим элементом.

Гибкость проектирования и удобство монтажа

Q-DPAK не только облегчает интеграцию в системы с пространством ограниченного габарита, но и значительно понижает паразитную индуктивность, что минимизирует напряжение выброса при коммутации и при высоких скоростях переключения. Небольшие габариты корпуса и его совместимость с автоматизированными процессами монтажа способствуют снижению производственных затрат и упрощают внедрение продукта в серийное производство.

Серия CoolSiC 1200 В G2 в корпусе Q-DPAK от Infineon — это высокоэффективное решение для создания мощных, компактных и термостабильных систем питания нового поколения. Инновационная топология корпуса, высокая термостойкость, минимальные потери и электромагнитная устойчивость делают эти компоненты оптимальным выбором для задач в промышленной силовой электронике, требующей максимальной надежности и высокой эффективности.