CGD представляет пакеты с улучшенными тепловыми характеристиками для силовых ИС на основе GaN

Компания Cambridge GaN Devices (CGD) представила два новых корпуса для серии ICeGaN силовых ИС на основе нитрида галлия (GaN), разработанных для улучшения тепловых характеристик и упрощения процессов проверки. Эти корпуса, являющиеся разновидностями надежных корпусов типа DFN, отличаются повышенной прочностью и надежностью.

Корпус DHDFN-9-1 (Dual Heat-spreader DFN) — это тонкий вариант с двухсторонним охлаждением и компактными размерами 10×10 мм. Он имеет смачиваемые боковые поверхности, что упрощает оптический контроль. Этот корпус отличается низким тепловым сопротивлением (Rth(JC)) и поддерживает охлаждение снизу, сверху или с обеих сторон, что делает его универсальным выбором для гибкости конструкции. DHDFN-9-1 превосходит широко используемый пакет TOLT, особенно в конфигурациях с двухсторонним охлаждением. Этот корпус также имеет распиновку с двумя затворами, что способствует оптимальной компоновке печатной платы и упрощает распараллеливание для приложений мощностью до 6 кВт.

Корпус BHDFN-9-1 (Bottom Heat Spreader DFN) ориентирован на охлаждение с нижней стороны и также имеет смачиваемые боковые поверхности для облегчения осмотра. При тепловом сопротивлении 0,28 К/Вт этот пакет соответствует или превосходит по тепловым характеристикам другие ведущие устройства. Несмотря на компактные размеры 10×10 мм, корпус BHDFN занимает площадь, аналогичную корпусу TOLL, что позволяет легко интегрировать его в существующие макеты.

Преимущества улучшенных тепловых характеристик

Повышенные тепловые характеристики дают множество преимуществ. Они позволяют увеличить выходную мощность при сохранении того же значения RDS(on), обеспечивают более низкую рабочую температуру, что снижает необходимость в больших радиаторах, и в целом уменьшают стоимость системы. Кроме того, более низкие рабочие температуры способствуют повышению надежности и увеличению срока службы устройств. В условиях ограниченного бюджета разработчики могут выбирать компоненты с более высокими значениями RDS(on), но при этом добиваться требуемой выходной мощности благодаря улучшенному теплоотводу.