Diodes Incorporated представила первые диоды Шоттки на основе карбида кремния

Компания Diodes Incorporated отметила важный этап, выпустив первые диоды Шоттки с барьером из карбида кремния (SiC), тем самым расширив свой ассортимент полупроводников. Новинки включают в себя серию DIODES DSCxxA065, состоящую из 11 изделий на напряжение 650 вольт с вариациями тока 4A, 6A, 8A и 10A, и серию DIODES DSCxx120, представляющую восемь изделий на напряжение 1,2 киловольта с вариациями тока 2A, 5A и 10A.

Эти SiC SBD предназначены для улучшения эффективности и надежности систем при высоких температурах, предлагая решения для растущего спроса на экономически выгодные и низкообслуживаемые системы. Они находят широкое применение в импульсных преобразователях, фотоэлектрических инверторах, источниках бесперебойного питания, промышленных электроприводах и других областях, демонстрируя свою универсальность.

Основные преимущества этих диодов перед кремниевыми аналогами включают минимизацию потерь на переключение за счет низкого емкостного заряда, что важно для приложений с быстрым переключением. Низкое прямое напряжение способствует повышению эффективности, снижая потери мощности и эксплуатационные расходы. Кроме того, уменьшение тепловыделения снижает требования к охлаждению системы, а высокая мощность импульсного тока повышает прочность и надежность системы, потенциально снижая строительные расходы.

Для разнообразия потребностей в приложениях, SiC SBD доступны в трех вариантах корпусов: поверхностный монтаж TO252-2, сквозное отверстие TO220AC и ITO220AC, предоставляя разработчикам гибкость в проектировании и реализации.