Силовой транзистор в пластиковом корпусе с мощностью до 1,5 кВт и частотой до 500 МГц

На выставке European Microwave Week в Лондоне фирма NXP показала силовой LDMOS-транзистор на 1,5 кВт, выполненный в пластиковом корпусе. Компонент MRF1K50N обладает на 30 % меньшим термическим сопротивлением в сравнении с существующей керамической версией благодаря медной подложке вместо медно-молибденовой (Cu-Mo-Cu).

К прочим параметрам нового транзистора относятся: частотный диапазон 1..500 МГц, КПД 73 %, усиление 23 дБ, устойчивость к КСВН более 65:1. Сфера применения: радиочастотные и телевизионные передатчики, CO2-лазеры, синхротроны, РЧ-нагреватели.

Также на выставке NXP представили линейку радиочастотных LDMOS-транзисторов Airfast 3, созданных для альтернативы компонентам на базе нитрида галлия, применяющимся в базовых станциях технологий LTE и CDMA. В сравнении с линейкой Airfast 2 новые транзисторы имеют на 4 % повышенный КПД, 20 %-ные улучшения по температурным характеристикам, частотный диапазон до 90 МГц, на 30 % уменьшенные размеры корпуса.