Texas Instruments выпустила МОП-транзистор FemtoFET

Texas Instruments представила n-канальный силовой транзистор FemtoFET с рабочим напряжением 60 В. Новый компонент в корпусе на основе кремния (1,53 х 0,77 мм) имеют типовое значение сопротивления Rds(on), равное 54 мОм. Новинка должна заменить стандартные МОП-транзисторы, применяющиеся в промышленных схемах коммутации нагрузки с ограниченными размерами.

Транзистор CSD18541F5 расширяет фирменный ряд компонентов FemtoFET на основе технологии NexFET. В новом компоненте повышено рабочее напряжение, произведена оптимизация конструкции корпуса.

Среди ключевых особенностей CSD18541F5: сверхнизкое сопротивление R(ds)on = 54 мОм при напряжении затвор-исток Vgs = 10 В (что на 90 % ниже, чем у аналогов с рабочим напряжением до 60 В); сверхкомпактный корпус LGA, на 80 % меньше традиционных корпусов SOT-23; встроенный диод защиты от электростатического разряда.

Стоимость транзистора CSD18541F5 в 3-выводном корпусе LGA составляет $0,14 при заказе партий от 1000 шт.