Транзисторная сборка, выполненная по технологии eGaN, найдёт применение в схемах беспроводной передачи энергии

Корпорация EPC анонсировала пополнение своей фирменной линейки чипов на основе нитрида галлия новым компонентом – EPC2110. Новое решение – это сдвоенная конфигурация полевых транзисторов (общий исток) с технологией eGaN в компактном корпусе 1,35 х 1,35 мм.

Новая сборка транзисторов работает с постоянным напряжением до 120 В и током до 20 А при максимальном уровне сопротивления Rds(on) = 60 мОм (при напряжении 5 В на затворе). Улучшенные рабочие характеристики достигаются благодаря сверхскоростному переключению чипа, экстремально-низкому сопротивлению открытого состояния, низкому заряду затвора (Qg), компактности корпуса.

В сравнении с современными кремниевыми МОП-транзисторами с аналогичным Rds(on) компонент EPC2110 имеет гораздо меньшие габариты корпуса и более высокую скорость переключения. Преимущества чипа будут актуальными в цепях преобразователей постоянного тока высокой частоты и синхронного выпрямления, в усилителях звука класса D и в схемах беспроводной передачи энергии.

Стоимость компонента при заказе партиями от 1 тыс. шт. составит $1,06. Заказ можно осуществить через дистрибьютора Digi-Key.