МОП-транзисторы семейства StrongIRFET от Infineon

Компания Infineon запустила новое семейство МОП-транзисторов StrongIRFET, предназначенных для цепей, питаемых постоянным током, в том числе схем батарей, приводов щёточных и бесщёточных двигателей (BLDC).

Новые МОП-транзисторы способны обеспечить высоким уровнем энергоэффективности такие устройства как садовое оборудование, питающие устройства, электромобили, дроны и электровелосипеды. Компоненты актуальны для схем, в которых необходимо добиться высокой энергоэффективности при ограниченных размерах. Это стало возможным благодаря компактному корпусу DirectFET с новой компоновкой.

По словам представителя компании, надёжность и рабочие параметры технологии корпусирования DirectFET улучшены благодаря новой компоновке, позволяющей достичь ещё меньшего термического сопротивления. В сочетании с применением кремния новые МОП-транзисторы StrongIRFET в корпусах DirectFET способствуют оптимизации размеров схем, эффективности и себестоимости.

Корпус новых транзисторов позволяет реализовать двустороннее охлаждение, что ведёт к повышению удельной мощности и отличным температурным характеристикам. Сместив затвор к угловой части кристалла, инженеры достигли значительного увеличения контактной площади истока и уменьшения температурного сопротивления в сравнении с предыдущими типами корпусов. Достигнуто повышение эффективности работы транзистора. Кроме того, имеется возможность дальнейшего масштабирования характеристик.

Новые транзисторы с рабочим напряжением от 40 до 75 В, обладают низким сопротивлением открытого состояния, что обуславливает пониженные потери на коммутации, высокую токонесущую способность и повышенную надёжность. Семейство компонентов StrongIRFET имеет выводы, не содержащие свинец. Дальнейшие компоненты семейства также будут соответствовать директивам RoHS.