ST выпустила транзисторы типа БТИЗ с низким уровнем потерь при частоте переключения 8 кГц

STMicroelectronics разработала ряд биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ), имеющих рабочее напряжение до 1200 В, низкий уровень потерь проводимости и переключения на частотах до 8 кГц. Низкий уровень напряжения насыщения транзисторов серии S также обеспечивает небольшим падением напряжения и минимизирует рассеиваемую мощность, что упрощает меры по распределению температуры.

Положительный температурный коэффициент позволяет упростить реализацию параллельного включения нескольких БТИЗ для работы с большей мощностью. Очень низкий выброс напряжения и нулевые колебания тока при отключении дают возможность уменьшить количество внешних компонентов и упростить цепь.

Новые транзисторы выдерживают режим КЗ в течение 10 мкс (при начальной температуре полупроводникового перехода на уровне 150°C), лишены эффекта фиксации, имеют максимальную температуру перехода до 175 °C и широкую область надёжной работы (SOA).

Высокоэффективные БТИЗ могут использоваться в схемах бесперебойного питания, солнечных генераторах и приводах промышленных двигателей. Серия S работает с током 15, 25 и 40 А. Компоненты выпускаются в корпусах TO-247 со стандартными, либо удлинёнными выводами.