Оптический CMOS-трансивер от IBM с пропускной способностью 100 Гбит/с

На конференции в Сан Хосе (США), посвящённой лазерам и оптическим решениям, IBM сообщила дополнительную информацию о CMOS-трансмиттере с пропускной способностью 100 Гбит/с. Задействовав техпроцесс «кремний-на-изоляторе» CMOS9WG (геометрия до 100 нм), корпорация реализовала модуляторы Маха-Цендера (MZM) и совместимые 50-оммные CMOS-драйверы.

В отличие от драйверов с пропускной способностью 16 Гбит/с и управлением по напряжению, информация о которых появилась не так давно, в новых драйверах с управлением по току достигнута производительность в 32 Гбит/с. По сообщению представителей IBM, они реализовали монолитный CMOS-трансмиттер с канальной чувствительностью, сравнимой с данным показателем у коммерческих решений с производительностью 25 Гбит/с. Другие показатели трансмиттера: коэффициент поглощения – 5,2 дБ, вносимые потери – 4,9 дБ. Гарантируется работа без ошибок с пропускной способностью до 32 Гбит/с.

Производитель планирует выпускать оптические CMOS-трансмиттеры для каналов передачи данных средней протяжённости (до нескольких км), применяемых в инфраструктуре датацентров. Сюда же входят оптомеханические интерфейсы для одномодового волокна. В чипе, информация о котором представлена в Сан Хосе, используется четыре модулятора, каждый из которых имеет пропускную способность 25 Гбит/с. Совокупная производительность – 100 Гбит/с не требует оптических фильтров и объединителя для работы с одним волокном. Питаемый от одного лазера, передатчик потребляет около 135 мВт (5,4 пДж/бит при производительности 25 Гбит/с).