Чипы асинхронной памяти SRAM от Cypress обеспечат надёжной работой с данными

Корпорация Cypress начала отгрузки образцов чипов асинхронной памяти SRAM с ёмкостью 4 Мбит и функцией коррекции ECC. Новые компоненты, призванные упростить схемы и сократить размеры плат, гарантируют надёжную работу с данными. Чипы найдут применение в промышленной, военной и телекоммуникационной сферах, системах обработки данных, медицинском оборудовании, потребительских устройствах, автомобильной электронике. При этом для такой памяти не требуется применение отдельных чипов коррекции ошибок.

Программные ошибки, вызванные фоновым излучением, могут вызывать изменение содержимого памяти, что может приводить к потере критически-важных данных. Аппаратный блок ECC в семействе асинхронной памяти от Cypress осуществляет все необходимые функции коррекции ошибок с наилучшим показателем качества (SER), составляющим менее 0,1 FIT/Мбит (один FIT эквивалентен одной ошибке на миллиард часов работы устройства). Новые модули совместимы по выводам с существующей асинхронной памятью SRAM (как обычной, так и с пониженным энергопотреблением). Компоненты также опционально могут выдавать сигнал об ошибках, являющийся индикатором процесса коррекции.

Новые модули с ёмкостью 4 Мбит доступны в трёх вариантах: Fast, MoBL и Fast с функцией PowerSnooze – дополнительным режимом глубокого сна с максимальным потреблением 15 мкА. Каждый вариант выпускается в стандартных конфигурациях x8 и x16. Чипы работают с различным вольтажом (1,8; 3 и 5 В) в диапазоне температур -40 – 85°C (промышленный) и -40 – 125°C (автомобильный).

Серийное производство модулей SRAM планируется с июля 2015 года. Чипы будут выпускаться в 32-контактных корпусах SOIC, 32-контактных TSOP II, 36-контактных SOJ, 44-контактных SOJ и TSOP II, а также в 48-выводных корпусах VFBGA (шариковые выводы).