Hua Hong представляет комплект разработчика на базе 0,2-мкм техпроцесса RF SOI

Hua Hong выпустила комплект разработчика на базе 0,2-мкм техпроцесса RF SOI. Новое решение позволит проектировщикам разрабатывать прототипы и выпускать высококачественные РЧ-компоненты.

Технологическая платформа RF SOI оптимизирована специально для разработки цепей переключения в радиочастотных схемах. По сравнению с применением техпроцессов на основе арсенида галлия (GaAs) и кремния на сапфире (SOS), технология SOI («кремний на изоляторе») обеспечивает отличными рабочими параметрами и возможностями масштабирования благодаря эффективному процессу. За счёт нового техпроцесса ускоряется процесс проектирования и повышается конкурентоспособность решений, снижаются потери на переключении, повышается уровень изоляции, улучшается линейность.

Новая платформа разрабатывалась в САПР IC5141 от Cadence. В состав платформы входят средства моделирования и симуляции, такие как PSP SO и BSIM SOI. Комплект разработчика RF SOI удобен для проектировщиков, сосредоточившихся на оптимизации как РЧ-характеристик, так и размеров кристалла. Инженеры смогут спроектировать и выпустить высокопроизводительные и энергоэффективные беспроводные цепи коммутации, сократить время проверки схем и значительно ускорить вывод решений на рынок.

По мнению президента компании Hua Hong, новая технология идеальна для выработки коммутационных РЧ-схем, применяющихся в смартфонах и прочих устройствах, работающих с беспроводными сетями, в том числе в оборудовании Интернета вещей.