N-канальный MOSFET-транзистор повысит плотность мощности в схемах мобильных устройств

Vishay разработала 20-В n-канальный силовой MOSFET-транзистор в корпусе PowerPAK SC-70. Компонент SiA466EDJ, повышающий плотность мощности и надёжность схем портативной электроники, обеспечит непрерывным током стока при номинальном напряжении Vgs, равном ±20 В, и при встроенной защите от электростатических разрядов. Монтажные размеры транзистора составляют лишь 2 х 2 мм.

Ток стока транзистора SiA466EDJ на 13 % больше по сравнению с ближайшими конкурирующими компонентами. В схемах коммутации нагрузки высокий номинальный ток обеспечивает дополнительным запасом при больших токовых бросках и условиях сбоя, например, при коротком замыкании. Встроенная защита от электростатических разрядов с уровнем 2500 В предотвратит повреждения от статики.

Новый транзистор – это весьма гибкое решение для схем управления питанием в портативной электронике. Сочетание высокого номинального тока и отличных показателей надёжности способствует оптимизации схем синхронных понижающих преобразователей и переключателей нагрузки в таких устройствах как смартфоны, планшеты, ноутбуки и др.

Для повышения КПД высокочастотных переключающих схем транзистор обладает низким сопротивлением открытого состояния: 9,5 мОм (10 В), 11,1 мОм (6 В) и 13 мОм (4,5 В). Это способствует снижению потерь проводимости. Типовое значение заряда затвора, равное 6,3 нКл, и сопротивление затвора – 0,9 Ом способствуют минимизации потерь на переключении. Новый транзистор соответствует директивам RoHS, не содержит галогены.

Образцы и серийные партии транзистора SiA466EDJ доступны для заказа. Время выполнения – до 13 недель для крупных партий.