Infineon представила MOSFET-транзисторы с наименьшим сопротивлением в открытом состоянии

Немецкое представительство Infineon пополнило линейку OptiMOS 5 транзисторами с рабочим напряжением 80 и 100 В. Новые MOSFET-транзисторы обладают наименьшим сопротивлением Rds(on) – в сравнении с предыдущим поколением оно снижено на 45 % для 80-В компонентов и на 24 % – для 100 В. Новинки предназначены для телекоммуникационных систем и серверных блоков питания, промышленных схем и сетевых адаптеров.

Помимо этого, по сравнению с предыдущими поколениями 80-В транзистор предлагает на 38 % сниженный выходной заряд (25 % снижения для 100-В компонента). Меньший уровень выходного заряда означает снижение потерь, а также уменьшение выбросов напряжения в схемах с жёстким переключением и синхронным выпрямлением. Всё это способствует ускорению проектирования и сокращению затрат при разработке.

Снижение заряда затвора на 24 % для 80-В транзистора и на 29 % – для 100-В также способствует снижению потерь на переключении, особенно в условиях небольшой нагрузки и в схемах, где требуется высокий КПД для любого значения нагрузки (микроинверторы, оптимизаторы мощности).

Транзисторы OptiMOS 5 с рабочим напряжением 80 и 100 В выпускаются в семи различных корпусах: SuperSO8, S308, TO-Leadless, TO-220, TO-220 FullPAK, D2PAK и D2PAK. Сопротивление Rds(on) находится в диапазонах: 1 – 4 мΩ, 4 – 8 мΩ и 2 – 8 мΩ для 80-В транзисторов и 1 – 4 мΩ, 4 – 8 мΩ и 8 – 10 мΩ для 100-В компонентов. Образцы и серийные партии новых транзисторов доступны для заказа.