ST представляет MOSFET-транзисторы с суперпереходом и напряжением пробоя 650 В

ST выпустила новейшие силовые MOSFET-транзисторы с суперпереходом, предназначенные для использования в эффективных модулях питания домашней электроники, осветительных систем и микроинверторов солнечной энергии. Согласно разработчикам, компоненты серии MDmesh M2, выполняемые в современных типах корпусов, обеспечат высокой надёжностью и повысят удельную мощность схем.

Новые MOSFET-транзисторы, в сравнении со своими предшественниками, имеют ещё более низкие сопротивление R_DS(ON) и заряд затвора Q_GD, а также меньшее отношение входной и выходной емкостей (C_iss/C_oss). В совокупности данные преимущества способствуют дальнейшему сокращению энергетических потерь и рассеиваемой мощности, к ускорению и повышению эффективности переключения. В то же самое время, повышенное напряжение пробоя до 650 В в сравнении с традиционным уровнем в 600 В гарантирует больший запас по надёжности.

Компоненты серии также выпускаются в корпусе с поверхностным типом монтажа – PowerFLAT 5x6 HV. Данный вариант имеет лучшие температурные и токовые характеристики при компактном размере и низком профиле. Транзистор в новом корпусе станет коммерчески доступным в 1 квартале 2015 года. Решение позволит создавать более компактные эффективные схемы нового поколения с повышенной удельной ёмкостью и выходной мощностью без ухудшения уровня надёжности.

Транзисторы серии MDmesh M2 найдут применение в адаптерах питания такого оборудования как ноутбуки, принтеры, игровые консоли, телевизоры и музыкальные системы. Улучшенные температурные характеристики станут преимуществами для драйверов светодиодного оборудования мощностью 3-25 Вт. Опция транзистора PowerFLAT 5x6 HV – идеальное решение для инверторов солнечной энергии.

В новой серии MDmesh M2 доступно 22 транзистора с максимальным номиналом в диапазоне от 4 до 11 А и сопротивлением R_DS(ON) до 0,36 Ω. Стоимость компонентов стартует с $0,92 за модель STD6N65M2 в корпусе D2PAK при заказе от 1 тыс. шт.