Новый MOSFET-транзистор сэкономит заряд батареи в носимой электронике и мобильных устройствах

17.10.2014

Vishay представила силовой MOSFET-транзистор, который должен сократить потребление питания и продлить время автономной работы таких устройств как смартфоны, планшеты, компоненты носимой электроники и ноутбуки.

Vishay представила силовой MOSFET-транзистор, который должен сократить потребление питания и продлить время автономной работы таких устройств как смартфоны, планшеты, компоненты носимой электроники и ноутбуки. Новый p-канальный транзистор Si8457DB с размерами 1,6 х 1,6 мм претендует на самое низкое в промышленности сопротивление открытого состояния при рабочем напряжении затвора 1,8 В.

Компонент Si8457DB, предназначенный для работы в качестве переключателя батареи или нагрузки в силовых цепях, имеет сопротивление открытого состояния 19 мОм при напряжении 4,5 В, 23 мОм при -2,5 В и 35 мОм при -1,8 В. По сравнению с аналогичными транзисторами в квадратном корпусе DFN (1,6 мм), номинальное сопротивление при -1,8 В в новом компоненте показывает улучшение на 17 %. Технические характеристики нового транзистора обеспечивают гибкостью при проектировании схем с драйвером затвора и отличными параметрами работы с большинством устройств, питающихся от ионно-литиевых аккумуляторов.

Транзистор Si8457DB лидирует по техническим характеристикам благодаря низкому сопротивлению в пересчёте на монтажную площадь, за счёт чего удаётся сократить размеры и энергопотребление в мобильных устройствах. Компонент обладает очень малым падением напряжения при постоянном токе и небольшими пиковыми импульсными токами, поэтому в виде тепла рассеивается малое количество энергии. Уровень сопротивления при напряжении -1,8 В упрощает задачи соответствия различным конструкторским требованиям и условиям работы, например, при низком заряде батареи, либо когда нагрузка ведёт к снижению напряжения «затвор-исток».

Будучи p-канальным MOSFET-транзистором, новый компонент имеет особое преимущество за счёт возможности переключения без каких-то требований к наличию генератора подкачки заряда в цепи. Транзистор может работать напрямую с различными чипами и контроллерами управления питанием от разных производителей.

Образцы и серийные партии транзистора Si8457DB доступны для заказа. Срок выполнения заказа для больших объёмов составит до 13 недель.



Наши новости один раз в неделю на ваш емайл
Подписаться на почтовую рассылку / Авторам сотрудничество
ТМ Электроникс


Подписаться на новости

Хотите интересные новости электроники? Подпишитесь на рассылку наших новостей.


Новости электроники

Еще новости

В архив даташитов сегодня добавили