Дебют Alliance Memory – высокоскоростная память CMOS DDR3 SDRAM

Alliance Memory представила линейку высокоскоростной синхронной памяти CMOS DDR3 SDRAM и DDR3L SDRAM с ёмкостями: 1, 2 и 4 Гбит. Решения выпускаются в 78- и 96-выводных корпусах FBGA с размерами 9 x 10.5 x 1.2 мм и 9 x 13 x 1.2 мм, соответственно. Согласно разработчику, модули обеспечат экстремально большой пропускной способностью до 1600 Мбит/с/вывод при рабочей частоте 800 МГц.

Модули SDRAM DDR3 (1.5 В) и DDR3L (1.35 В) с уменьшенными структурами кристалла станут надёжной заменой совместимым по выводам решениям, применяемым в промышленных, потребительских и телекоммуникационных системах с микропроцессорами нового поколения. При этом не потребуется дорогостоящая замена схем и компонентов.

Модули DDR3 SDRAM AS4C64M16D3, AS4C128M8D3, AS4C128M16D3, AS4C256M8D3, AS4C256M16D3 и AS4C512M8D3 питаются от одного источника 1.5 В (±0.075 В), модули AS4C64M16D3L, AS4C128M8D3L, AS4C128M16D3L, AS4C256M8D3L, AS4C256M16D3L и AS4C512M8D3L – от источника 1.35 В. Компоненты работают в коммерческом (от 0 до 95°C) и промышленном (от -40 до 95°C) диапазонах температуры.

Память SDRAM DDR3 и DDR3L имеет внутреннюю схему, состоящую из 8 банков 64, 128, 256 и 512 х 8 и/или 16 бит. Модули работают в полностью синхронном режиме с программируемой длиной пакета импульсов записи (4 либо 8). Автоматическая функция предварительного заряда выполняется в конце последовательности импульсов. Функции восстановления могут выполняться автоматически либо в программируемом режиме. Система сама выбирает наиболее подходящий режим для максимизации производительности.

Модули соответствуют директиве RoHS. Образцы решений доступны для заказа. Время выполнения займёт от 6 до 8 недель (для больших партий).