Toshiba представляет дополнительные карбидокремниевые диоды Шоттки с током до 12 А

Корпорация Toshiba расширила семейство 650-В карбидокремниевых (SiC) диодов Шоттки новыми изолированными компонентами в корпусах TO-220F-2L. Четыре дополнительных диода имеют рабочий ток до 6, 8, 10 и 12 А.

Новые диоды Шоттки предназначены для схем блоков питания серверов, цепей согласования питания в системах солнечной энергетики. Согласно исследованию, проведённому Toshiba, такие диоды также могут служить в качестве альтернативы кремниевым диодам в цепях импульсных блоков питания, где карбидокремниевые компоненты показали на 50% большую эффективность.

Диоды выполнены с применением карбида кремния (SiC), полупроводника, обеспечивающего высоким напряжением пробоя, уровень которого недостижим для традиционных кремниевых диодов Шоттки. Карбидокремниевые диоды Шоттки – однополюсные компоненты, имеющие очень малое время обратного восстановления и независимое от температуры поведение при переключении. Именно поэтому, они идеально подойдут в качестве более надёжной замены кремниевых диодов с быстрым восстановлением.

Карбидокремниевые силовые компоненты показывают лучшую стабильность по сравнению с кремниевыми, даже при более высоком напряжении и токах. Такие компоненты значительно снижают уровень рассеиваемой теплоты во время работы. Устройства, соответствующие тенденциям разработки более компактных и эффективных коммуникационных систем, найдут применение в ряде решений: от серверов до инверторов.