PVD система позволит добиться беспористого заполнения в технологии TSV

Applied Materials представила первую в промышленности систему для серийного полупроводникового производства по технологии ионизированного физического осаждения из паровой фазы (PVD) с поддержкой использования титана в качестве альтернативного барьерного материала. Это попытка реализовать новый тип вертикальных межсоединений в чипах, вызванная ограничениями, описанными в законе Мура.

Система Endura Ventura PVD спроектирована специально для процесса TSV металлизации, для которого требуется, чтобы структуры имели соотношение 10:1 или выше. Система обеспечивает улучшенными параметрами ионной плотности, направленности и энергии для напыления непрерывного танталового либо титанового барьера и слоёв меди внутри переходных отверстий TSV, толщина которых на 50% меньше, если сравнивать с применением других систем. Система позволяет осуществить беспористое заполнение, что важно для технологии TSV.

Вице-президент Applied Materials доктор Сундар Рамамурти отмечает: «Инновации позволяют создавать более производительные, компактные, энергетически-эффективные и функциональные корпусы для чипов, востребованных в современных вычислительных системах. Заказчики осознают преимущества новой PVD системы и планируют её использование в серийном производстве».

Лишь недавно компания приблизилась к решению, которое, по мнению специалистов, может позволить реализовать медные межсоединения на 10-нм геометрии и предотвратить процесс миграции электронов. Речь идёт о технологии покрытия медных проводников слоем кобальта. В платформе Endura данная технология используется для производства в чипах медных межсоединений с предварительным очищением от частиц, оставшихся после травления. После этого вступает в работу система Endura Ventura, осуществляющая 2 шага: 1) добавление барьерного слоя для предотвращения диффузии меди в диэлектрик и 2) напыление непрерывного слоя меди на барьерный слой. После этого пластина поступает на электроосаждение и полировку.