IGBT транзистор с обратной проводимостью и рабочим напряжением 650 В

Infineon расширила семейство IGBT транзисторов с обратной проводимостью, включив в него компонент с рабочим напряжением 650 В и интегрированным монолитным диодом (RC). Силовой полупроводниковый компонент RC-H5 может применяться в индукционных и СВЧ печах. Транзистор найдёт применение в различных полумостовых схемах с жёстким переключением.

По сравнению с предыдущим поколением транзисторов компонент имеет лучшую энергетическую эффективность. За счёт него достигается 5-% экономия энергопотребления всей системы. Потери на переключениях снижены на 30%. Частота переключения может достигать 40 кГц.

Увеличенное запирающее напряжение способствует повышению надёжности. Способность транзистора работать с мягким и жёстким типами переключений означает не только повышенную гибкость при проектировании, но и снижение нагрузки на всю систему.

Компонент имеет улучшенные электромагнитные характеристики, что даёт значительные преимущества при мягком и быстром переключении, когда требуется меньше последующей фильтрации. Улучшенные температурные параметры позволяют транзистору работать при внешней температуре до 175°C.