MOSFET-ключи от Microsemi с технологией VDMOS для промышленных, научных и медицинских систем

Дистрибьютор Richardson RFPD сообщил о доступности двух новых высокочастотных MOSFET-ключей с технологией VDMOS (металлооксидные полупроводники с вертикальной диффузией).

Новые мощные транзисторы для схем с общим истоком, имеющие высокое пробивное напряжение V(BR)DSS, обеспечат повышенным уровнем стабильности и низкими интермодуляционными искажениями. Пассивирование нитридом, напыление золотом и золотые проволочные соединения – все служит для повышенной надёжности. Новые компоненты выпускаются в корпусах с улучшенными температурными характеристиками. Новые MOSFET-ключи спроектированы для промышленных, научных и медицинских (ISM-диапазон) систем, а также для других широкополосных коммерческих и военных схем, для которых требуется высокая мощность и усиление без потери в надёжности, устойчивости либо интермодуляционных искажениях.

Ключевые характеристики транзистора VRF2944 (50 В, 400 Вт, 150 МГц):

- повышенная надёжность, V_(BR)DSS = 170 В

- мощность 400 Вт с типичным усилением 22 дБ (30 МГц, 50 В)

- отношение КСВН 3:1 при указанных рабочих параметрах

- рабочее напряжение до 65 В

Ключевые характеристики транзистора VRF3933 (100 В, 300 Вт, 150 МГц):

- повышенная надёжность, V_(BR)DSS = 250 В

- мощность 300 Вт с типичным усилением 22 дБ (30 МГц, 100 В)

- КСВН 3:1 при указанных рабочих параметрах