Макетная плата c параллельно работающими FET-транзисторами на основе технологии eGaN

Корпорацией Efficient Power Conversion (EPC) была представлена полумостовая макетная плата EPC9017 с FET-транзисторами на технологии eGaN, предназначенная для сильноточных, понижающих схем с промежуточными шинными преобразователями (IBC). В новой плате 2 полевых транзистора нижнего плеча (синхронный преобразователь) соединены параллельно, поэтому их проводимость длится больший период времени, если сравнивать с одиночным FET-ключом верхнего плеча.

Согласно EPC, FET-ключи на основе технологии eGaN обладают превосходными характеристиками распределения тока по сравнению с кремниевыми MOSFET-ключами, поэтому они более привлекательны для параллельной работы. В новой макетной плате разработчик добился оптимальной компоновки, основанной на корпусах со сверхнизкой индуктивностью.

Макетная плата EPC9017 работает с максимальным напряжением 100 В, имеет выходной ток до 20 А, выполнена по полумостовой топологии со встроенными драйверами затвора и FET-ключами расширенного режима EPC2001 (eGaN). Полумостовая конфигурация состоит из одного компонента на верхней стороне платы и двух параллельных компонентов – на нижней стороне. Такая конструкция рекомендуется для сильноточных схем с меньшим периодом включения.

Новое решение имеет размеры 2 х 1.5 " и содержит все важные компоненты при оптимальной компоновке. На плате имеются несколько контрольных точек для измерения параметров и расчета эффективности работы.

Руководство по быстрому запуску (http://epc-co.com/epc/documents/guides/EPC9017_qsg.pdf) включено в комплект для упрощения работы с макетной платой.

Макетная плата EPC9017 имеет стоимость 130 долл. США. Заказ можно осуществить у дистрибьютора Digi-Key.