Силовые MOSFET-транзисторы с запирающим напряжением до 4500 В для высоковольтных схем

Корпорация IXYS выпустила n-канальные силовые MOSFET-транзисторы в корпусе международного стандарта. Номинальный ток устройства может быть от 200 мА до 2 А. Компоненты разработаны для использования в схемах преобразования питания с быстрым переключением, где требуется работа с запирающим напряжением до 4.5 кВ.

«Все мы знаем из курса физики, что более эффективно передавать энергию при высоком напряжении, а не при высоком токе. Именно поэтому мы разработали данную технологию для реализации преобразования питания на уровне напряжения, близком к сетевому, – комментирует Натан Зоммер, основатель и генеральный директор корпорации IXYS. – В различных промышленных, транспортных и медицинских системах также требуется управление высоким напряжением, что и реализуют новые транзисторы».

Высоковольтные MOSFET-транзисторы созданы для параллельной работы с сокращением цепи управления затвора, что упрощает схему и способствует экономии места на плате, а также повышает надёжность готовой системы.

Более того, керамическая изоляция на уровне 4.5 кВ достигается за счёт технологии прямой медной пайки (DCB) с электрически изолированным выводом, предназначенным для отвода тепла. Технология гарантирует низкое температурное сопротивление и лучшие в данном классе характеристики температурного и энергетического циклирования. Эпоксидное покрытие соответствует классу горючести UL 94 V-0.

Новые силовые транзисторы представляют собой оптимальное решение для схем отбора питания из электросетей, цепей разряда конденсаторов, высоковольтного оборудования для автоматизации тестирования, систем лазеров и рентгеновского излучения, высоковольтных модулей питания и импульсных цепей.