Корпус для MOSFET-компонентов повышает эффективность силовых цепей

Компания STMicroelectronics (ST) выпустила первое MOSFET-устройство с суперпереходом MDmesh V, в котором применена новая технология корпусирования, повышающая эффективность силовых цепей импульсных блоков питания бытовой техники, телевизоров, персональных компьютеров, телекоммуникационного оборудования и серверов. Согласно разработчику, 4-контактный корпус TO247-4 позволяет задействовать непосредственное управление переключением, в то время как в традиционных корпусах используется один общий канал для переключения и питания. Дополнительный вывод способствует повышению эффективности переключений, снижая потери энергии и позволяя повысить рабочую частоту, а также уменьшить размеры блоков питания.

ST разрабатывала корпус совместно с Infineon, которая также представила свои новые устройства с суперпереходом, обеспечивая дополнительной гибкостью заказчиков новых продуктов.

Корпус TO247-4 имеет инновационную внутреннюю конструкцию с двухпроводным подключением к источнику. Такое подключение позволяет обойти индуктивность источника основного модуля питания, исключая до 60% потерь, что даёт возможность проектировщикам использовать более высокие частоты переключения и меньшие по размерам фильтрующие компоненты. Сочетание нового корпуса с технологией суперперехода MDmesh, которая достигает одного из наилучших показателей эффективностей проводимости, ведёт к максимально-возможной экономии энергии.

Будучи первым устройством, выпущенным в корпусе TO247-4, компонент STW57N65M5-4 способствует повышению энергетической эффективности в активных цепях коррекции коэффициента мощности (PFC), а также преобразователях энергии на мостовых и полумостовых схемах, используемых повсеместно в потребительской и промышленной электронике.

Компонент STW57N65M5-4 в корпусе TO247-4 претендует на высокую устойчивость к помехам и пониженную чувствительность к электромагнитной интерференции. Устройство имеет улучшенный номинал по напряжению для большей безопасности, высокое отношение dv/dt для повышенной надёжности. Компонент тестировался на устойчивость к лавинным эффектам, что позволяет его использовать в схемах с суровыми условиями эксплуатации.

Компонент STW57N65M5-4 находится в стадии массового выпуска. Стоимость составляет 10 долл. США при заказе от 1 тыс. шт.