Карбид-кремниевый MOSFET-транзистор с рабочими характеристиками 1200 В и 80 мОм

Новые карбид-кремниевые (SiC) MOSFET-транзисторы были выпущены корпорацией Cree. Второе поколение 1200-В транзисторов C2M0080120D обладает лидирующими показателями плотности мощности и эффективности переключения при стоимости, в 2 раза меньшей по сравнению с предыдущим поколением MOSFET-транзисторов.

При данном соотношении цены/качества новое устройство способствует снижению системных затрат сборщиков оригинального оборудования и стоимости для конечного пользователя. Это происходит благодаря повышенной эффективности и сниженным затратам на монтаж, уменьшению размеров и веса карбид-кремниевых компонентов.

К остальным характеристикам компонента C2M0080120D относятся:

– Высокая скорость переключения и низкая ёмкость;

– Высокое запирающее напряжение и низкое сопротивление R_DS(ON);

– Устойчивость к лавинным процессам;

– Исключение тиристорного эффекта;

– Простота параллельного включения и управления;

– Корпус TO-247-3.