Samsung представляет 4-Гбит модули мобильной памяти DRAM типа LPDDR3

Samsung Electronics анонсировала решение, которое позиционирует как первую в промышленности сверхбыструю мобильную память DRAM типа LPDDR3, выполненную по 20-нм техпроцессу. Согласно разработчику, новая память по производительности сравнима с модулями DRAM, используемыми в настольных ПК. Поэтому модули идеальны для интенсивных мультимедийных устройств нового поколения, таких как высокопроизводительные смартфоны и планшеты.

Новые 4-Гбит модули типа LPDDR3 могут передавать данные на скорости 2133 Мбит/с (для каждого вывода), что является вдвое большим показателем по сравнению с предыдущим поколением мобильных модулей DRAM (LPDDR2) с пропускной способностью до 800 Мбит/с. Такие показатели позволяют передать одновременно 3 файла видео в разрешении HD (в сумме порядка 17 ГБ) за 1 секунду.

Модули DRAM, выполненные по техпроцессу 20-нм, позволяют без задержек отображать видео высокой чёткости на экранах смартфонов размером 5 дюймов и более. По сравнению с памятью DRAM на техпроцессе 30 нм, новое решение претендует на 30-% улучшение по производительности и 20-% - по потреблению питания.

В то время как мобильные устройства продолжают становиться всё тоньше, их батарейные блоки увеличиваются в размерах. Задействовав новые 4-Гбит модули от Samsung, производители оригинального оборудования получают 2 ГБ памяти из 4 таких чипов на одном корпусе с высотой 0.8 мм.

Позже в текущем году Samsung планирует увеличить производство передовой 20-нм мобильной памяти DRAM. Таким образом, гигант планирует закрепить лидерские позиции в производстве памяти.