Силовой чип с технологией MOSFET-суперперехода

Компания Infineon Technologies недавно расширила портфолио высоковольтных компонентов выпуском решения CoolMOS C7, представляющего 650-В технологию MOSFET-суперперехода.

Новое продуктовое семейство C7 предлагает лучший в своем классе показатель сопротивления R_DS(ON), все стандартные корпуса, а также улучшения эффективности во всём диапазоне нагрузки. Компоненты оптимизированы под топологии с быстрым переключением: CCM PFC, TTF, Solar Boost. Типичная сфера применения – это оборудование солнечной энергетики, серверы, телекоммуникации и бесперебойные источники питания (UPS). Напряжение пробоя 650 В также позволяет использовать компонент в системах с повышенным уровнем безопасности.

Серия C7 обладает самым низким показателем сопротивления R_DS(ON), равным 19 мОм (корпус TO-247) и 45 мОм (корпусы TO-220 и D²PAK). Возможность быстрого переключения позволяет достичь частоты коммутации более 100 кГц при очень высоком уровне эффективности. Таким образом, реализуется большая плотность мощности при снижении размеров пассивных компонентов.

Более того, сниженная энергия в выходной ёмкости (E_OSS), а также низкий заряд затвора (Q_g) дают преимущества в эффективности даже при малой нагрузке. Сочетание лучших в своем классе характеристик семейства C7 и нового карбид-кремниевого диода Шоттки 5-го поколения thinQ!, а также интегральных схем управления ICE2 / ICE3 – гарантируют проектировщикам непревзойдённые параметры для цепей коррекции коэффициента мощности при длительном режиме проводимости (CCM PFC).