Модули CMOS SRAM с ёмкостью 32 Мбит и напряжением питания от 2.7 до 3.6 В

22.05.2013

Alliance Memory расширила свою линейку традиционных модулей памяти CMOS SRAM с низким энергопотреблением новым 32-Мбит чипом.

Alliance Memory расширила свою линейку традиционных модулей памяти CMOS SRAM с низким энергопотреблением новым 32-Мбит чипом. Компонент AS6C3216 работает от одного источника напряжения с уровнем от 2.7 до 3.6 В, предоставляя малое время доступа 55 нс. Модуль оптимизирован для маломощного промышленного, телекоммуникационного, медицинского и автомобильного оборудования. Он хорошо подходит для энергонезависимой памяти резервного электропитания.

Модуль выпускается в 48-контактном корпусе TSOP-I с размерами 12 х 20 мм. Новое решение имеет низкое энергопотребление при типичном уровне рабочего тока 45 мА, в режиме ожидания – 10 мА. Все входы и выходы полностью совместимы с TTL-технологией.

Модуль AS6C3216 создан по высокопроизводительной и высоконадёжной технологии КМОП. Рабочий ток устройства стабилен в диапазоне температур от -40°C до 85°C. Модуль работает в полноценном режиме статических операций с тристабильным выходом. Напряжение удерживания данных составляет минимум 1.2 В.

Интегральные схемы от Alliance Memory традиционно являются хорошим вариантом для замены подобных компонентов, совместимых по выводам. Модуль AS6C3216 – самый свежий представитель среди энергетически эффективных компонентов SRAM, в которые входят устройства с ёмкостями 64 Кбит, 256 Кбит, 1 Мбит, 2 Мбит, 4 Mбит, 8 Mбит, 16 Mбит и теперь 32 Mбит.

Образцы и серийные партии модуля AS6C3216 доступны для заказа. Время выполнения заказов составляет до 6 недель.



Наши новости один раз в неделю на ваш емайл
Подписаться на почтовую рассылку / Авторам сотрудничество
Золотая осень в ТМ Электроникс


Подписаться на новости

Хотите интересные новости электроники? Подпишитесь на рассылку наших новостей.


Новости электроники

Еще новости

В архив даташитов сегодня добавили