Fujitsu показала модули FRAM ёмкостью 1 и 2 Мбит

Компания Fujitsu Semiconductor разработала 2 FRAM-модуля с ёмкостями 1 и 2 Мбит. Устройства MB85RS1MT и MB85RS2MT, имеющие максимальную ёмкость для модулей памяти FRAM с последовательным интерфейсом, предлагают особенности, специально разработанные для интеллектуальных измерителей, промышленного оборудования и медицинских устройств. Сюда относятся повышенная надёжность, большая скорость записи, большая плотность и низкое энергопотребление.

Модули FRAM могут обеспечить до 10 триллионов циклов записи. Такая выносливость в 10 раз выше показателей предыдущих моделей ферроэлектрической памяти от Fujitsu. Также она превосходит другие типы энергонезависимой памяти как минимум в 1 млн. раз. Модули FRAM потребляют на 92% меньше питания во время операции записи по сравнению с модулями EEPROM такой же ёмкости, при этом достигая скорости записи в 920 раз большей.

Являясь одночиповыми решениями, модули FRAM значительно снижают стоимость компонентов, площадь монтажа и потребление питания по сравнению с другими решениями, использующими память EEPROM либо SRAM, а также батарею для поддержки хранения данных. Модули FRAM, исключающие необходимость использования батареи и дополнительных компонентов, обещают упрощение процесса проектирования, экономию места на печатной плате и снижение затрат на обслуживание.

Модули MB85RS1MT (1 Мбит) и MB85RS2MT (2 Мбит) станут доступны в виде тестовых образцов в конце марта. Также будет доступен выпуск в виде полупроводниковых бескорпусных кристаллов для использования в компактных медицинских и потребительских устройствах.